对InPSi亲水性直接键合地研究.pdfVIP

2004牛8月，-A 第十=届全∞化合物半导体材料、微波#忤自光电器件学术☆议 置第^J莓±目目体薄膜学术9U 对lnPSi亲水性直接键合的研究 赵洪泉，于丽娟，黄永箴 0083) ‘中科院半导体所集成光电子国家重点实验室，北京，lO 摘要：为了估计直接键合的力度我们提出了一个既考虑了晶片表面微观形貌和弹性形变，又考虑了在不同温度下表 面水分子对亲水性键合能的影响的模型。在该模型下，将键合在一起的晶片看成一个系统，利用界面自由能最小的 原理，从能量的角度估算出了键合力的大小。进一步的，我们我们在相对洁净的环境下成功的键合出了一系列各个 不同温度和时闯下退火的键台片子，随后进行了拉力测试，从测试结果可以看出我们的这个模型是比较合适的。同 时从泼模型中我们得到这样的结论：表面微观起伏越小，在退火时所加的压力越大，即使在比较低的温度下，也可 以得到比较高的键合力。从测试结果所得到的曲线来看．我们认为InPSi的最优退火温度在400“C。 关键词：键合力，界面能，直接晶片键合 赵洪泉Email地址：删@red．semi．ac．cn电话：010 1引言 直接键合技术是将两片镜面抛光的晶片在不利用任何胶剂的情况下粘合在一起。当前键合的 重点研究方向是降低键合的温度和提高键合的强度。在前面已经有很多的文献提出过不同的模型对 键合能进行估算”“，同时键合的原理也已经有不少的文献报道041。这中间有代表性的有下面两个 发展。该模型假设预键合过程主要通过表面水分子薄层所形成的氢键得以将晶片粘舍，并且研究了 键合力和退火温度的关系。其二是由C．Gui等”1提出的基于弹性机械理论模型的表面平整度对于晶 片可键合性能的影响。这些理论模型均为随后的实验所证实，他们的研究结果表明键合的成败与许 多的因素相关，包括：对晶片的化学处理，晶片的厚度，退火的温度，退火时间，和退火时所加载 的压力等。 2键合能的分析 当两晶片键合在一起以后，他们就形成了一个系统。界面总的自由能可以看作为三个方面的贡 献：系统内储存的弹性能uE；界面微观起伏由于受到压力产生形变的机械势能uM；与表面粘附功 相关的表面能US。图1是Si和InP的经过亲水性处理晶片的原子力显微的测试图。从图1中可以看 到：经过处理的si的表面起伏不超过lnm，处理过的InP大约在2nm左右。 图1经过亲水性处理的Si(左)和InP(右)片的原子力显微图 ·119· 2004年8．一，浅 第十=月e目％☆曲÷导体÷r#、№渡自-R茸廿光l##·十$々“ ，E，}九．旖-．Y}m目体薄膜学术口“ 为了估算系统的界面能。考虑某个常压Pi下两微观起伏表面的接触为弹性接触，如图2中的两个在 压力Pi下发生弹性形变的接触球，由于存在界面力，它们之间形成的接触圆周半径a。要大于ao，弹 性形变…懈可一为癣；c半+鲁，燕，，或矾3=警㈣ 其中R．：=R。＆，cR，+R：，和去=矿3百1-v12+百[--V22， cz， 中两接触球远距点之间的距离6和压力Pi的关系可以表示为： 冒 1 岂 1R 摄 {叨 喇 501001∞2帅2蛐3∞3靳400