全固态SESAM锁模激光器地研究.pdfVIP

全固态SESAM锁模激光器的研究 李港，陈橡，张丙元，予海娟 (北京j：业大学激光工程研究院，北京，100022) 摘要：在连续端面抽运、脉冲端面抽运、连续侧面抽运等情况下，对SESAM 锁模技术进行了实验研究，给出了相应的实验结果。并将SESAM锁模 技术与腔倒空技术相结合，得到了较高峰值功率的锁模单脉冲输出。 关键词；SESAM锁模，全固态，腔倒空 l、引言 随着超短激光脉冲技术的发展，半导体材料作为可饱和吸收体在固体锁模激 光器中的应用变得广泛起来。半导体材料突出的光学非线性特性使它具有独特的 双时间响应常数。在半导体材料的能带结构中，能带内的热驰豫过程很快，可以 达到100fs左右的量级，称之为快时间响应常数；而能带之间的载流子复合过程 则相对较慢，响应时间在皮秒量级，称之为慢时间响应常数。半导体材料的吸 收带可以在很宽的范围内进行调节，使得半导体可饱和吸收镜(SESAM)成为 非常有潜力的被动锁模器件。利用SESAM进行被动锁模，具有能自启动、稳 定性好、技术简单等优点，因此成为科研人员的研究重点【l刁】。 本文对SESAM锁模进行了分析设计和实验研究，大致包括以下三种情况： 连续端面抽运SESAM锁模，脉冲端面抽运SESAM锁模，连续侧面抽运SESAM 锁模。分析了不同的SESAM和不同的晶体对锁模输出的影响，找出了其规律 性。并首次成功实现了腔倒空SESAM锁模运转，获得了能量较大，脉宽较窄 的锁模单脉冲输出。 2、SES灿Ⅵ结构和时间特性 SESAM全称半导体可饱和吸收镜，其基本结构就是把反射镜与可饱和吸收 体结合在一起，见图1。底层一般为半导体布拉格反射镜，其上生长一层半导体 可饱和吸收体薄膜或量子阱，最上层可能生长一层反射镜或直接利用半导体与空 气的界面作为反射镜。这上下两个反射镜就形成了一个法布里一珀罗腔，改变可 饱和吸收体的厚度以及两反射镜的反射率，可以调节吸收体的调制深度和反射镜 的带宽。 对于半导体可饱和吸收体的两个特征驰豫 Onom 时间，其驰豫快的带内热平衡时间基本上无法 控制，而驰豫较长的带间热平衡时间主要取决 于半导体生长时衬底的温度。一般地，生长时 的温度越低，带问跃迁弛豫时间越短。但是低 温生长会产生缺陷，增加光损耗。 在SESAM锁模过程中，响应时间较长 Semiconductor 的带间跃迁(如载流子重组)提供了锁模的自 saturableabsorber 启动机制。而响应时间很短的带内热平衡可 以有效压缩脉宽、维持锁模。 图1 SESAM结构示意图 2、SESAM锁模 2．1端面连续抽运SESAM锁模 图2 LD端面抽运SESAM锁模实验光路图 本实验采用端面抽运直腔，端面抽运有较好的模式匹配，因而阈值低，输出 效率高，而且易实现基模运转，光束质量好。图2是光纤耦合半导体激光器端 面抽运的SESAM锁模激光器的光路示意图。这种腔型没有像散，稳区大，易调 la 节。LD输出功率8W，通过芯径600 m光纤束耦合输出，数值孔径为0．22。激 3mmx 光晶体是掺杂为O．8％的Nd：GdV04(3minx3mm)和掺杂为1％的Nd：YAG 膜，后端面镀1064nm的增透膜。实验中采用金属有机化学气象沉积法生长的半 导体可饱和吸收镜(sEsAM)做为锁模元件，通过改变L4的焦距以及仔细调节 L4和SESAM之间的距离，来改变入射到SESAM上的光功率密度。通过改变输 出镜M2的入射角度，来改变输出／透过比率，以获得最佳输出率。 出功率和泵浦功率的变化曲线。可以看出，Nd：GdV04的输出功率略高于 8％。 Nd：YAG。Nd：GdV04的光．光转换效率为l9％，Nd：YAG的光．光转换效率为l 并且Nd：GdV04的锁模阈