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第十一届全国正电子湮没谱学会议文集 阳离子表面活性剂对多孑L二氧化硅薄膜的调 制：基于慢束的多普勒展宽谱学研究 熊帮云，毛文峰，何春清 湖北省核固体物理重点实验室，武汉大学物理科学与技术学院，武汉，430072 摘要：以阳离子型表面活性剂CTAB为结构模板，单面抛光Si(100)为基板，采 用溶胶一凝胶技术和提拉法，经煅烧制备了多孔二氧化硅薄膜。采用基于慢正电子 束的正电子湮没多普勒展宽谱学表征制备的多孔二氧化硅薄膜。如图1所示，以 CTAB含量为5wt％的薄膜(红色曲线)为例，当入射正电子能量从0keY增加到约 lkeV时，正电子湮没S参数随之增大，因为越来越多的正电子被注入到含有CTAB 的薄膜中并湮没；而随着正电子能量继续增加到约3keV，S参数几乎保持不变。当 正电子能量由3keV增加到约7keY时，部分正电子在Si基板表面的Si02薄层中湮 没，致使S参数逐渐减小。随着正电子更深入地注入材料中，S参数逐渐增加并达 到一个平台，这是由于越来越多的正电子被注入到Si基底中并湮没。因此，S—E曲 线在正电子注入基板表面附近时形成一个低谷。薄膜中正电子湮没S参数随着 CTAB含量的增加而逐渐增加，可能是由于更多的正电子与CTAB中低动量的电子 湮没。添加5wt％的CTAB后，S．E曲线的低谷变宽，并移动到较高的能量区域(由 注入正电子在界面处优先在CTAB中湮没所致。比较图1和图2可知，经450℃煅烧 减小到约0．525。煅烧后该薄膜S-E曲线的低谷由煅烧前的约7keY向较低的能量区 域(约5keV)移动，这是因为煅烧过程中，伴随着CTAB的分解，无机物前躯体 经缩聚反应形成多孔二氧化硅薄膜，煅烧后薄膜显著变薄。另外，经过煅烧，未添 加CTAB的二氧化硅薄膜中正电子湮没S参数相对于其他薄膜中的S参数显著减小， 约为0．512(如图2)，表明未添加CTAB时制备的二氧化硅薄膜更加致密。随着 的条件下制备的多孔膜中可能存在较大的纳米孔。 关键词：多孔薄膜；二氧化硅薄膜；正电子湮没谱学；表面活性剂 88 ncidente+energ 面活性剂含{ S—E曲线