Φ400mm的YBCO双面高温超导薄膜的研究.pdfVIP

第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议论文集 o40mm的YBCO双面高温超导薄膜研究 陶伯万罗安刘兴钊何世明事言索 (电子科技大拳信息材料工程学院四川成都610054) 羊恺罗正撵橱晓波张其劭 (电子科技大学信息搬最中心四川成都610054) 摘要：本文采用倒筒式直流藏射(ICS)方法，辐射方式加热基片，通过电机带动旋转 ， 基片在基片两面同时溅射沉积YBCO高温超导双面薄膜。在加热温度为850C．总压 J 单晶基片上(≤a，40mm)科得性能优良、两面一致、面内均匀的YBCO高温超导双面 o(77K，10Gl-lz．0T)．并简要介绍 Q，雁2=0．29m Jc2=2．74MA／cm2(77K，0D，Rsl=0．24m 了我们在德国K．fK研究中心制作3英寸YBCO／A120：州rBCO双面膜的制备工艺． 关键词：YBCOj觋面薄膜溅射旋转 。 一、前言 由于高温超导(HTS)薄膜，如Ⅵ粥0、TBCCO等，具有报小的微波表面电阻(船)， 用其制作的微波无源器件(如滤波器、谐摄器等)性能比传统金属制作的器件有很大的 提高．主要表现有损耗低、噪声小、体积小、重量轻等优点【l司。如果将这种微波器件 用于通讯系统中，可大幅提高系统的灵敏度及可靠性．从而可以提高其有效柞用距离． 使轰统性能得到丈幅度提升． 研制高性能HTS微波器件的前提是首先要获得具有良好外延性能的HT$薄膜材 料．若徽波器件以金属作接地面，则有30*／*的插损是由金属引入的，若以HTS薄膜作 为接地面，则可完全消除这部分损耗唧．因此．HTS双面薄膜的研究制备是该领域的一 个研究重点。田际上已有研究者用这些薄膜成功制作出各种不同的微波器件【4t”。 为了便于器件的集成，制作l荚寸以上的大面积双面薄膜成为了高温超导电子学发 展的一个重要课题．而要沉积大面积双面YBco薄膜，则必须解决好大面积内的性能、 犀度的均匀性和双面性能的一致性，这对于多元氧化物材料而言，在技术上有相当的难 度．田外已有成功采用MOCVD、PLD、Sputtering、电子柬蒸发等不同方法制备丁性能 良好的3英寸以上的大面积双面YBCO薄膜B叫的报导，但用倒筒式单靶直流溅射并 结台基片旋转辐射加热方式沉积双面YBCO薄膜还未见别的小组报导哪。 本文采用倒筒式直流溅射方法成功地在多种尺寸基片上制得了具有良好性能的 ．11托D外燕双面薄膜． + 二、实验方法 ’ 采用自己设计的倒筒式直流磁控溅射装置，如图l，靶材是YBa2Cu307-x(YBCO) 高温超导材料．在双面抛光的LaAl03(100)单晶基片上沉积YBCO双面薄膜。实验 中采用辐射加热，基片通过电机带动进行旋转以同时在两面沉积YBCO薄膜。 在此系统中，加热温度在800-870℃间，气压在25--．．40Pa左右，氧氩比为1：2左 右．沉积速率为约0．02--0．08∞如，沉积16小时薄膜每面厚度为360rim左右，在多种尺 寸的双面抛光的LaAtOl(100)单晶基片上均可获得超导的YBCO双面薄膜。实验条 ·本文于2000年6月21日收到． 72 陶伯万：中40_m的YBC0双面高温超导薄膜研宄 件见表I． 样品采用XRD和SEM进行结构分析，采用感应法测试托，共聚焦法测试Jc及 J虹． 表1．实验条件 I| LLL — l