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铁电陶瓷晶粒织构化技术 孙平 孙彤 (东南大学电子工程系南京210096) GrainTextured ofFcrroelectricCeramics Technology Sun PingSun，Tong 210096) Abstract andmechanics caan]lcSinelechicity infllisp8p臣therecentdevelopedofgrain妇删technologywasl-Hziewed ⅧfocI】越 摘要 晶粒取向技术能够有效提高铁电陶瓷材料的电学和力学特性。本文综述了近年来在铁电陶瓷晶粒取向技术研 究芎面取得的p屉。着重介绍了模版化晶粒生长法(TGG)制各晶粒织构铁电陶瓷技术。 1．引言 随着高新技术的不断发展，对铁电陶瓷的机械性能和电学性能提出了越来越高的要求。含 铅系钙钛矿铁电陶瓷(如PzT)是使用最为广泛的压电材料。若采用—般的陶瓷制备工艺，仅 靠调整组分来进一步提高该类陶瓷的性能，其改进的空间已经不大。目前的研究热点之一是生 长铁电单晶，以得到性能更为优良的铁电压电材料。 织构化陶瓷可以在相当程度上改进其磁学、电学和力学性能。织构化的磁性材料已取得了 非常成功的应用。铁电、压电陶瓷的某些特性在结晶织构化后会大大增强【1捌。 本文综述了近年来在铁电陶瓷晶粒取向技术研究方面取得的进展、存在问题及发展方向。着 2．晶粒织构化原理及方法 可以通i屯加温度梯度场、磁场、机械应力场使多晶材料具有织构化的显微结构，采用热 锻、热压等方法可以使晶须或板状晶片有序排列，产生织构。对于金属材料，滑移面旋转产生 弹一I上形变成为织构化的驱动力，使晶粒取向逐步织构化。在陶瓷中，由于缺乏这种弹性，织构 尸有通过晶粒旋转和各向异性生长来获得。主要方法有三种：单向热压法、双向热压法或热煅 法以及模版化晶粒生长法(T(而)。下面分别加以介绍： 2．1单向热压法 该方法就是常规的热压工艺，适合制备具有层状结构的铁电陶瓷。如B‘RO。，sr2Bi砥O，。， 27 图1单向热压法制备的Bi4Ti30。： 铁电陶瓷的显微结构 、 备的Bi4Ti3012铁电陶瓷的显微结构【l】。由图中 可以看到，在于压力相垂直的平面内取向生长。 2．2双向热压法 双向热压法是将单向热压后坯件进行二次 热压烧结，热压方向与原热压方向垂直。该工艺 可以将具有棒状结构的陶瓷晶粒沿某一方向择优 P向。图2给出了采用双向热压法制备的PbNb。O。 铁电陶瓷的显微结构[3】。 23模版化晶粒生长法(TGG) TGG是一种较为经济的陶瓷织构化方法。 国2双向热压法制备的FoWo：O。铁电陶瓷的显微 采用TGG工艺在烧结莫莱石，Si3N4，SiC，A120， -结构，kiP。一次热压方向，HP2一次热压方向 陶瓷均取得了成功[4，5，6，7,81。采用TGG工艺在 烧结织构化铁电陶瓷方面，成功地使层状结构的 Bi4Ti，012和钨青铜结构的Sr2Nb：07陶瓷织构化 【9，to] 具体方法是在陶瓷的粉料中混入具有低维 度尺寸的诸如纤维、晶须或板状晶片等第二相， 在陶瓷素坯成型的过程中使纤维、晶须或板状晶 片等第二相择优取向(如采用刮刀法或轧膜法等 ]一艺)．而后皇烧结过程中，这类第二相作为模 版籽晶诱导晶粒原位各向异性生长。刮刀法的工 作，：理如图3所示。