复合薄膜应力与应力梯度控制研究.pdfVIP

2000年lO月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 复合薄膜应力和应力梯度控制研究 张国炳郝一龙孙玉秀李静王玮李素兰 北京大学微电子学研究所， 北京100871 一氕札j本文报道了低压化学气相淀积(LPCVD)制备的多晶硅薄膜内应力和应力梯度与退火 温度和时间及掺杂浓度关系的实验结果。研究了不同结构组成对复合膜内应力和应力梯度 的影响。 一、引言 近年来，随着集成电路的发展，特别是微电子机械系统(MF．．MS)的兴起，多晶硅薄 膜和各种复台膜作为MEMS中的基本结构材料，得到广泛应用，如传感器、加速度等，其 机械特性直接影响着器件的·性能和稳定性、可靠性。 在MEMS应用中要求薄膜本身具有较小的张应力且膜内有小的应力梯度，如果薄膜内 应力过大，会使MEMS结构层形变甚至断裂，造成器件失效。另一方面也可利用多层膜的 应力梯度造成的弯曲制成不同的MEMS器件。所以，控制制备工艺条件，使其具有较小的 内应力和应力梯度，研究复合膜的结构组成对应力影响，成为MEMS制造工艺中的一个很 关键的问题mn，。 本文对LPCVD多晶硅薄膜的退火温度和时间、掺杂浓度和复合膜结构组成对其应力 和应力梯度特性的影响进行了研究，忧化了工艺条件，提出了改进措施以满足MEMS器件 制备要求。 二、实验 (1)实验样品制备： u111和500rim； 压化学气相淀积生长多晶硅薄膜。工艺条件为：淀积温度为610。C膜厚2 离子注入磷(P+)对多晶硅搀杂；为研究应力特性与退火的关系，我们采用炉退火(N：保 和mrrvsi02两种组成。Ti，Pt采用S枪磁控溅射法淀积。 (2)薄膜应力和应力梯度测量： 采用我所研制的薄膜全场应力测试仪测量多晶硅薄膜应力0’。它采用光偏振相移干涉 原理．通过测量由于薄膜应力引起的衬底形变或曲率半径的变化，再转换成薄膜应力。为 测量应力梯度我们用表面微机械加工技术制备了不同长度的悬臂梁．测量其自由端弯曲， 根据公式计算出应力梯度。 三、实验结果和讨论 (1)离子注人掺杂和退火条件对多晶硅膜本征应力的影响 表1给出了不同炉退火温度和时间及不同离子注入掺杂浓度的多晶硅薄膜应力测量结果 2000年10月·广西·北海 第七届全国周体薄膜学术会议 表1．炉退火对多晶硅薄膜应力和应力梯度影响 编 工艺条件 退火温度 退火时间 应力 应力梯度 号 (℃) (h) f×10SPa) (×108P“ta) l 610C淀积 未退火 ．2．50 一1．25 2 610C淀积 950℃ 0．5 ．1_lO ．0．96 注磷：100Kev,1E15em-z 3 610C淀积 950℃ 4．0 —0．83 -0．4l 注磷：100K．ev,1E15cm-2 610C淀积 未退火 ．3．05 ．1_53 4 1000℃ 1．0 ．0．84 —0．42 注磷：100Kev,1E15cm-2 5．o -0．64 一O_32 610C淀积 未退火 ．3．03 ．1．5l 5