缺陷在TiNi可逆记忆效应中作用的正电子的研究.pdfVIP

I I I 缺陷在TiNi可逆记忆效应中作用的正电子研究 1早．I、 二tj蓑』戊 I (上海土山钢铁公司(集团)J．海钢铁研究所研究中心) (i：海市金属功能利*D-I：发应』jj重ti实聆室) I 上海 200940 Oat％Ni试 接噩测量-j7若1：具有可逆形状记忆效应的l、i一51 I 杆的it!l乜f湮没多普勒展宽能谱线形参数。分i表}9J：几”Jj巫 JL--，j{：不是所有包 形状U忆效应好的试样都含有结构缺陷。f13 I 含结构缺陷(或结构不均匀性)的试样都能给…婀的rlJ逆形状 i己忆效应：要扶得好的可逆形状记忆效应，试柑中的结构缺陷 在密度上必须适量，数量太多或太少郝小能产‘，|i虫了的i己忆’列· I 能。结构缺陷羊¨结构缺陷的密度适量刈TiNi合命获得女，的i已 忆效应足同等亟要的。 I 1．问题的提出 如何m*释IIiNi台会的可逆形状记忆效心是一个搬有意义119问题…。小少金 属物理技术，特别是透射电子显微镜，剥此进行了』一泛f+9+0D7,。f【!足文献·～}{少 有火用jF电子湮没方法对该问题研究的报道。水文足用l㈠Uf潭没多背勒展宽能 潜划rj51．Oat％Ni合金测量和分析的结果。 2．实验步骤和结果 l OR I-I 1日乜予潭没多普锄展宽能谱仪的探测器是高纯}＆(LjG＆GEc)，刈””∞ 的1332MeV 8 keV。i卜|乜了源是强度约为 Y射线能量分辩率(FWItM)为1 37×105 1 keV展贲能峙的峤顶最 Bq的“NaCI。测量征室温下进行。每个51 l 人计数为2×104。展宽能谱的定量分析采用线形参数s，小文定义为峰rI-央若 I。道计数和除以峤两翼的丽积。 Oat％Ni。川此材料制褥r I 所测试的合金成分是厚度约为O．45nlm的Ti．51 -j比具有可逆形状记忆效应的试样。制备的大体过程足：合余带材川线切割方式 1111ll×12 I刃成100 mill的试样。固溶处理后，各组样川，弯成弧形装存央具l二于不 I 同温度F进行强制时效。 试样从央具f：取下后用多普勒展宽能暗仪先测其弧形中部的线形参数S(本 仪器的蕈复测量误差为±O．3％)。 I 多普勒展宽能谱线形参数S洲量完毕后，在0。c和j00℃之问榆验试样