CaCu3Ti4O12陶瓷巨介电响应机理探讨.pdfVIP

R38 CaCu Ti O 陶瓷巨介电响应机理探讨 3 4 12 2 郑兴华 张程 刘馨 汤德平 肖娟 （福州大学材料科学与工程学院，福州，350108 ） 摘要：目前，CaCu Ti O (CCTO)陶瓷的巨介电性起源基本上认为是内部阻挡层电容器（IBLC ）机制，但对于晶 3 4 12 粒和晶粒边界的导电性仍存在较大的争议。本文采用 MnO 少量置换 CCTO 中CuO 或者 TiO ，固相反应法烧结制备名义成 2 2 分 CaCu Mn Ti O (x=0-0.3)和 CaCu Ti Mn O (y=0-0.1) 陶瓷。少量 MnO 的加入，所有陶瓷均为类钙钛矿结构的 CCTO 3-x x 4 12 3 4-y y 12 2 单相；但是 CCTO 陶瓷的显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小的晶粒。同时，CCTO 陶瓷的体积电阻率显著提高； 介电常数从 4 2 -1 -3 10 显著下降到 10 ，介电损耗从 10 急剧降低到 10 。通过微结构和电性能的演变来再次讨论CCTO 陶瓷 IBLC 形成机理，说明 CCTO 陶瓷中 IBLC 是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成。并较低温度下烧结获得高 介、低损耗和温度稳定的 CCTO 基陶瓷。寻找到一种降低 CCTO 陶瓷的介电损耗的有效方法。 关键词：CaCu Ti O ；巨介电常数；IBLC ；低介电损耗 3 4 12 Discussion on giant dielectric response of CaCu Ti O ceramics 3 4 12 ZHENG Xinghua, ZHANG Cheng, LIU Xin, TANG Deping, XIAO Juan （College of Materials Science and Engineering, Fuzhou University, 350108, China ） Abstract For CaCu Ti O (CCTO) ceramics, an internal barrier layer capacitor (IBLC) is wildly 3 4 12 accepted to be responsible for the giant permittivity. However, there is much debate on the conductivity of grains and grain boundary of CCTO ceramics. In this work, a small amount of MnO substituted for CuO or TiO in the CCTO ceramics. Ceramics with no