Si基长波长GeSi+HPT探测器的研制.pdfVIP

第3l卷第z2期 光 子 学 报 vol’3lNo．z2 ：!!：兰!：旦 垒￡!垒呈旦Q!!型￡垒墅理生垒 211：：!!! Si基长波长GeSi HPT探测器的研制 毛容伟李成成步文黄昌俊左玉华李传波 罗丽萍滕学恭余金中王启明 (中科院半导体所集成光电子学田寡重点实验室，北京100083) 摘 要随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与si基徽电子集成电路集成的长波长探 p 测器越来越受到人们的重视．siI。Gc,／Si量子阱材料在I．3m石英光纤波段有着明显的响 应．但是由于SiGe材料问接带隙结构。吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制．由于 (heterojunctionphototransistorJ孚质结光敏晶体管)HPT具有内部增益，siGeHP哺望得到 广泛应用．本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV--CVD生长的SiGcHPT．在该结 构中，sio毫2Geo18材料做基撮，Sio7Geo 3用做吸收区材料．我们对材料的质量用X射线双晶 衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5v偏压下在13 um波段响应度达1mA／W，光增益约为10．同时我们设计了SoR上面的RCE HPT，并进行 光电响应模拟，模拟表明RCEHPT的量子效率可达8％，增加吸收区材料Gc组分到0．5，量 子效率可以提高到30％．半高宽为1．5nm，适应光通讯的要求． 关键词HPT．光增益，RCE探测器． 0引言 si基微电子电路一直主控着半导体市场，在大规模集成电路的制作和性能上有 着无可比拟的优越性。si的价格低廉。制作工艺成熟，形成优质的绝缘层材料如sio：， sj3N4等，是III—v族材料所不及的．然而由于si本身的一些局限性，如间接带结构等 使得它在光电子方面的应用受到一些限制。幸运的是，随着材料生长技术的发展， 通过能带工程等对材料该性的运用，使它在高速HBT、长波长探测器方面的应用得 u 到重要发展。IBM在2001年7月报道了基于0．18m双极工艺的HBT，其频率疗达到 210GHz． 在光通讯方面，SiGe长波长探测器的应用也得到人们的普遍关注．1986年ATT 传播，光电子则垂直输运，由于SiGe的折射率比Sj大，增加了对光的限制，提高了探 测器的量子效率．提高量子效率的另一个途径是利用自身带有增益的APD或者HPT 结构。APD结构虽然具有内部增益，但雪崩过程中会在光电流中引入额外的噪声， 而HPT是集PIN和HBT于一身，不仅可以对光信号进行探测。而且可对光信号进行放 大，同时具有噪声小，响应速度快的优点，是一种比较理想的接收方案。 HPT的基本原理是将宽带隙发射极应用到光敏晶体管中．入射光在基极和集电 极之间的耗尽区被吸收。产生电子一空穴对．在外加偏压的作用下，电子被扫入集 电极，空穴在电场的作用下。向基区移动．由于SiGe／Si的带隙差主要落在价带，空 穴在基区积累，降低了基极的势垒。使发射极注入电子增加，从而使发射极到集电 极的电流增大．可以获得比较大的光电流增益．我们利用UHV--CVD生长并制作了 收稿日期：2002一06—29 ‘本工作得到胃家重点基础研究发展规划(973项目)G200036603资助． 光 子 学 报 3l卷 HPT结构的SiGe长波长探测罂．在本文中将对材料的生长．光电响应做详细的介绍。 光通讯的发展要求探测器具有波长选择性。Si02和si的折射率差大(Si和SiO， 置于RCE中间。利用DBR的反射作用，光在腔内来回反射．增加了有效吸收长度， 提高了量子效率。同时高反射率的DBR使得特定波长的光在腔内得到增强