元件自组装素列研究.pdfVIP

A17 元件自组装的系列研究★ 吴新涛料陈．玲黄群 (中国科学院福建物质结构研究所．结构化学国家重点实验室，福州，350002) 卢嘉锡教授等提出的元件组装方法对于合成一系列新款过渡金属原子簇起着重要作用…。在元 件组装方法中，可分为元件组装的设计合成方法和自组装方法两种。这里主要介绍元件组装方 法中的元件自组装。本文研究了阳离子的价态和大小对阴离子元件自组装为高聚链化台物的影 响，井研究了它们的物理性能。 1．合J啦 本论文合成了8个W／Ag／S无机高聚链新化舍物，ftgtJNT-6砷结构类型． 其中5种是新构型。这就为多元异金属半导体家族增加了系列新的成员，扩展了非常规半导体 包含的范围。研究表明ws,2-．Ag+的自组装反应除了受阳离子的价态，大小的影响外【2：．还受 到以下三个因素的影响：配位阳离子的大小(西B位溶剂的大小)：介质的影响：复合阳离子的聚集 方式。 1．{rW2A＆Sd。[Zn(4,4-bipy)2∞MI％(DMSO)2]}。 2 {州A93S121‘[La(DMACMH；Oh-(DMAC瑚}。 3．{Ⅳ～嘻S】d’ICa(DF_AC),I}n 4．{SV如SM；‘【La(DEF)2∞咖吼1[La(DEFNDMlD,]}。 5．{[W加S241‘[La(DMSO)zh|。 6 {[W出6S翻。叫d(DMSO)th}n 7． {州Ag】oS32】·fLa(DEFM2}。 8． {吖sA910snl‘[Nd(DEF)d2}。 2．结构分析 对化合物l～8进行了单晶结构分析9I。图．1给出了它们的结构图。 3．W／Ag／S一维无限链体系的电学性质研究 (1)．电导率的测试本论文仅对化合物l～5，7，3进行了粉末的电导率测试u实验结 果表明它们的电导率值在半导体电导率值范围内【41，并呈现了随着温度的升高而增太的规律。 (2)．能带计算采用紧束缚扩展休克尔(E}r删能带理论计算方法睁1用NNEW3程序 t：本项目由田家自拣科学基叠资助 一；通讯碾系人 之间，属于半导体能隙值范围内。能带组成成分分析表明：价带顶主要是Ag-S的成键轨道组 成，而导带底是W-S的反键轨道组成。因此在光激发或电场作用下，电子可以发生从Ag到W 此桥·S原子对于该类化台物的电子传递也起了重要作用，而m．s(端．s)对于电子的传导的贡献不 丈。 变凌建墨 n化古物1的等距l；}j离子Z形链 C化台物3悬梯式双股螺旋链d化合物4单四方重复单元的一维链 。’ o 。g一毒：r1三。耳10=r’。：：。文。 ‘矗：—￡“警：—茜={o甚4翟：4≈jh蕊 一譬。喈。吨? o o ‘ e化合物5．6的8字形螺旋链 f化合物7’8双四方重复单元的一维链 图I结构图 参考文献： 【1] a) 卢嘉锡， “过渡金属琢子簇化学的新进展”． 福建科学技术出版社t 福州， 1997 Cluster York， ofTr柚sition_Metal J．X New Chemistry’，ScienceP代ss，8cijing，New b1 Lu．“SomeAspects 2000 andJiaxi Sheng Qua Wu，Quanmingwang,Tianlu 【2】 H