用172nm+Excimer紫外光源制备钽氧化物薄膜探究.pdfVIP

72nm 用1 Excimer紫外光源制备钽氧化物薄膜研究 别利剑尹静张俊颖+ (临沂师范专科学校化学系，山东，276005) ELectmnic＆Electrical (+Dept．of Engineering，UniversityCo]．1egeLondon，UK) 摘要报道了利用新型Exeimer紫外光源制备钽高度的样品架，紫外光直接照射到样品上，能量约为 氧化物薄膜的新方法。在单晶硅村底上将溶肢一凝肢 液旋转涂膜后，通过172nm紫外光源辐照，在低温下100C，此外还可通过衬底托架上的加热盘控制衬底 即可制得钽氧化物薄膜。用椭偏仪、傅立叶变换红外 温度，这种紫外灯的其它细节可参见文献卜川。 光谱(FTIR)、X光光电子能谱(XPS)等分析方法对 薄膜的性质进行了分析，结果表明，所制备钽氧化物 薄膜的原子比O／Ta在2．4～2．6之问，与化学计量 化夸物Ta20。的2．5相当}用该膜制成的MOs电容 高频C—V曲线表明，薄膜电学性能良好。 关键词溶胶一凝胶法钽氧化物薄膜Excimer 底 紫外灯 供气 1引言 图1实验装置示意图 钽氧化物薄膜在电子学技术、光导器件、氧传感 1 Schematic Fig diagramoftheexperimental 器及介电材料中的应用已引起了人们极大的兴 setup 趣“_43。由于它具有较高介电常数，近年来一直被考 2．2薄膜制备 虑作为超犬规模集成电路(ULSl)”和高密度动态存 储器件(DRAM)Ⅱ1中替代SiO{薄膜的介电材料。制 备钽氧化物薄膜的方法有多种，如溅射、原子层外延、 将Ta(OC2H5)5(AldrichChemicalCo．)适量溶 激光脉冲淀积及化学气相淀积等0’“5“]。 于由乙醇、水和少量盐酸组成的混合溶液中进行溶胶 目前比较活跃的是激光CVD，然而激光设备昂一凝胶化，在溶胶一凝胶化的过程中，通过往硅衬底上 贵而且只能提供很小面积反应区域(通常仅几cm2)，旋转涂膜，即可得到5～300nm厚的溶胶一凝脏薄膜， 因而需要找到～种大面积、高能量、价格便宜的光源。 这种薄膜再用172nm紫外光直接照射光解可制得钽 氧化物薄膜。 新一代紫外光源～激发态双分子(Excimer)紫外光 灯，因其能量输出高、反应温度低、反应时间短，尤其 2．3薄膜分析 是可以大面积应用的优越特性，在物理学、化学、医 AutoEL 学、环境科学等领域，特别是现代光刻技术、微电子技 所制备薄膜的膜厚和折射率用Rudolph 术中展现了极广的应用前景。 II椭偏仪测量，薄膜内组分的化学位移由红外光谱仪 (PERKIN 本文报道了利用Excimer紫外光源制备钽氧化 物薄膜的新方法，并对所制薄膜的性质进行了分析， 用该膜制成的MOS电容测出了高频C—V曲线。 z实验部分 2．I实验装置 o．8tzA，氨气压力为1．33x10一Pa。