亚微米工艺流程探究.pdfVIP

亚微米工艺流程研究 肖志强陶建中徐征刘逵梁斌赵文彬毛怎军 (中国华品电_j=集团公司中央研究所无锡214035) 摘要奉史介绍厂在中周华品中央研究所l0微米下艺线I：所开发的亚微米(08um)工艺流程．蓐点介绍 』’0．Bum器件结构、1兰流程图、天键工岂杖计以及f{j此流程制造出的08um器件的各项P叫参数． 关键词：LDD结构自对准双阱LOCOS隔离Etehback工岂 1引言 中国华晶中央研究所第二研究室拥有一条5英寸1．0微米CMOS科研生产工艺线，月 投片量为1000片，月，可进行1．O微米～3 L艺的基础上，开发了0．Sum工艺流程，其特点是利用现有设各，在工艺流程设计上实现 了低成本的0．Sum工艺加工，并进行了工艺流片，制造出了性能符合要求的0．8us器件。 2O．8um器件结构介绍 为有效抑制短沟道效应、热载流子效应，我 仃J采_I}j了LDD(轻掺杂漏)结构，右图为NMOS管 结构，采_E}j肿多晶硅，多晶宽度0．8um，Spacer 宽度0．25um．栅氧厚度15nm，N+结深0．22um， 有效沟长0．65um。PMOS管也采用同样的LDD结构， 一 P+结深O．33um。具体参数如下表： 0．8um器件参数及特征尺寸 参数 数值 参数 数值 栅氧 15nm N+方块电阻 65±20ohm／口 O．22um 90±30 N+结深 P+方块电阻 ohm／口 ”结深 0．33um Poly方块电阻 25±5ohm／口 0．65u咀 f¨contact (80 N沟有效沟长 ol№Icoat P沟有效沟长 O．65UBI P+COltact90ohm／cont Vtp —1．OV Polycontct 30ohm／cont q04-翼n Vtn 0．8V A卜I方块电阻 m．ohm／n RVdo 12V AI一2方块电阻 55±25i11．ohm／口 lOV Via 0．2 Poly场管 ohm／collt ·402· 3流程介绍 单层多晶双层金属工艺的主要工艺流程图如下： 材料…一次氧化…～次siN…N阱光刻～N阱腐蚀～N阱注入 一N阱氧化…P阱注入一推阱…有源区氧化…有源区SiN…有源区 光刻～有源区腐蚀一场氧化一预栅氧…PT注入～栅氧化…沟调…多 一接触孔腐蚀…金属卜一金属1光刻…金属1腐蚀一平坦化…金属2一 一金属2光刻…金属2腐蚀…钝化一合金…电参数测试 4工艺设计说明 4．1阱的制作 以保证源漏之间的击穿电压大于12伏，以及有足够高的阂值电压与较理想的器件参数。因 此，采用双阱工艺成为必需。我们的阱制作工艺采用了自对准双阱工艺，只需一次光刻即 可形成双阱。制作过程如下：N阱光刻、N阱腐蚀后，进行N阱注入，然后通过氮化硅作掩 蔽，在N阱区生长一层厚的二氧化硅，以阻挡P阱普注硼时不被注入到N阱区，P阱注入后， 再推阱。通过改变阱注入的能量、剂量，N阱氧化、推阱的菜单，可以把N阱、P阱的方块 电阻、