一中结隔离互补双极工艺的研究和其在高速运算放大器中的运用.pdfVIP

一种结隔离互补双极工艺的研究 及其在高速运算放大器中的运用 刘先锋 冯兆兰 电子工业部二十四所 重庆 邮编400060 摘要 本文介绍了互补双极工艺的发展过程，提出了采用结隔离实现NgN和PNP的兼容，从 器件和工艺上对兼容工艺中的NPN和FNP进行了优化设计，采用这种工艺制作出了 算放大器SFSII的研制，作出了压摆率SR=1500V／US的超高速运算放大器。充分说明了我 们所研制的结隔离互补双极工艺适用于高性能的模拟集成电路的开发。 关键词：互补，兼容，压摆率，高速运算放大器。 一前言 自从五十年代末期硅平面工艺的出现，半导体集成电路取得了突飞猛进，由于PNp在 模拟集成电路中具有许多优点，这些优点大大地提高了电路设计的灵活性，能够将高性能 RNP和NPN兼容一直是模拟集成电路工艺工程师努力的方向。高性能的双极互补工艺是现 代模拟集成电路的重要特点Ⅲ。1964年H．C．Lin[2]第一次将横向PNP引入到集成电路中， 虽然在当时其性能很差(电流增益B小于1)，但却深受人们的注意。但白它出现以来， 人们一直在努力寻找新的兼容方法，改善PNP和N科的性能。七十年代至八十年代双极互 补工艺的发展侧重于兼容工艺的形成方法。如介质隔离双极互补工艺[3]、二次外延技术[4] 和悬浮式结构[5—6】。八十年代中期至九十年代中期由于工艺技术的进步，互补工艺主要 司的XFCB[8]、ATT的CBIC-V[9]、Tetronic公司的CBE10]：另一种是适用于±15v的高 速运算放大器，如NationalSemiccoductor的VIPⅢ[n】、UnitedTechnologies的 合SOI技术和深槽技术相结合用于制作商性能的双极互补工艺成为了可能，SOl和深槽技 术相结合的互补双极工艺是未来高性能模拟集成电路的基石。 二结隔离双极互补工艺设计 1互补工艺结构的选取 目前，PNP和NEq兼容工艺多种多样，由于采用的隔离技术不同以及实施的工艺不同， 其复杂程度也不～样，其总的特点是工艺复杂、成本高，需要一些特殊工艺设备。而我国 eb c +’cc ebc 图1PNP和NPN兼容结构剖面图 在双极互补工艺的研究几乎是一片空白，开展双极互补工艺的研究对推动我国的高性能模 -325～ E 二 拟电路的研究具有重要的意义。针对我们自己的特点：无高能量的离子注入机、无法采用 高成本的SOI硅片、没有实用化的细条光亥6技术、注入机只能注入B、P、AS、三种杂质、 无减压外延和P型外延技术、无实用化的深槽隔离技术。因此我们提出采用40V、500—800枉Iz 的结隔离互补双极工艺，靠优化单项工艺和器件的横向尺寸来改善和提高NFN和瑚P的性 能，其剖面图如图1所示。 2 器件设计的一般考虑 集成运算放大器的电路设计上最关心的参数是晶体管的VA、B、ft，因为VA、B决 定了电路的精度，而ft决定了电路的交流特性。由晶体管原理可知：缓变基区晶体管共 射短路电流放大系数为： ll + ●一p 生咏 。每 『 r Ⅵ2 z 1 、]-1 集成电路中晶体管矗={纠‘ck+j}+丢翌+名ck+÷kc加i} L L 删¨“d 2 月 晶体管的厄里电压i％}2面．丽wbN8％一‰2丙n丽wbN8％ 当R,IP和NPN晶体