低温共烧低介基板材料探究.pdfVIP

低温共烧低介基板材料研究+ 邓宏1，姜斌1，扬邦朝1，曾娟1，李阳’，章瑜2 (I．电子科技大学信息材料工程学院。四川成都610054 2．信息产业部电子43所．安徽台肥230022) 摘要l采用BSG(BorosilicaXe Glass)与sio复合体 基板的烧成温度不能i好于1000℃，以便能将导带与基 系刺备的循疆低介基掘材料，其．}妻性能指标为：夼 扳一次烧成· 电常数5‘3．6(1Ⅶ哪，介质损耗角正切蟾占‘ 由于低温共烧低介多层布线陶瓷基板具有布线 2．5xl沪，电阻率p1．3xloJ3n·crfi．耐压强度E 层数高、介电常数低、布线导体方阻小、热膨胀系 76kV／mm．抗折强度237ⅫPa，鹅膨胀系敷口一 数与硅器件匹配等优点．近年来国际上对低温烧成多 3．6x10叶℃，导热率^一1w／Ⅱ岖． 层冉瓷基板进行了许多的研究．取得了显著的进展， 关键词：复台体系；怔介i基板 井在实际中得到广泛的应用·表I为90年代国外低 温共烧多层基板的主要指标- 1引言 2制备工艺 随着半导体集成电路的集成度和运蕈速度不断 提高+如何塘短电信号在互连线(导带)上的延迟 本研究中采取了以BSG-Siq二元系为基础的设 时间．已成为进一步提高电路工作建度的美链问题a 计方案．其中Bsol：Bo∞silicakG1蝴璃的主要组 如果设电信号在传输线上的延迟时间为％·则‰ 与基板材料的介电常数t、光速C有如下关系： 料口研磨口高温晶化处理口淬火口粉碎口球磨·基 板材料的配方质量分数：BSG70％。s∞惭·基板 ％t点C 制备工艺：将BSG与S自02按设计配方称量，球磨、 其中．基板介电常数的大小是影响信号传输速度的 干燥、造粒、成型后在空气中烧结，升沮至360℃(升 重要因素之一。目前．国内外常用的低介电常数- 温速度5一TC／In蛐．保温lh，然后再升温至850℃· 低烧结温度基板材料主要有以下共型：丑)晶化玻璃 再保温lh，自然降温后取出样品． 系：这类材料具有烧成温度低．舟电常数小，绝缘 电阻较高等特点，但由于在烧结过程中，玻璃易软 3实验结果与分析 化变形．导致图形精度下降+因而在导带宽度：iJt4, 3．1测试结果 的细线工艺上不适用；”玻璃复合系：其特点是用 a_电性能：如表2、表3所示· 介电系数较低的陶瓷材料与适当比例的玻璃(多为 b．机槭性能：平均抗折强度7．IMPa BSG)混台作为基板材料，其不足之处在于需要先 c．热性能：热膨胀系数3．6×104fC 在高温(1300。C)下烧结．获得低舟电系数的陶瓷 平均导热率W／ra-K 后，再将其粉碎成细粒径的粉体与玻璃糟混合后制 3．2站果分析 备；c)非玻璃系：如BaO-S．O=-B,O,系· 3,2．1BSG组分对基板材料的影响 此外，由于半导体集成电路中．芯片集成度的