Au%2f(Si%2fSiO-%2c2-)%2fP型Si结构可见电致发光研究.pdfVIP

4 第6卷第4期 功能材料与器件学撤 Vo】6、o OFFUNCI10NALMATEItlALsANDDEVICES Dee2009 20130年12月 JOURNAL 文章编号：1007—4252(2000)04—0354—03 Au／(Si／Si02)／p型Si结构的可见电致发光研究 马书懿1。2，王印月2，刘雪芹2 (1．西北师范大学物理系，兰州730070； 2兰州大学 物理科学与技术学院，兰州730000) 摘要：Si／SiO：薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大干5V时即可观测到来 自不同si层厚度的Au／(Si／SiO：)／p-Si结构在室温下的可见电致发光，其发光谱峰 位均位，测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实 验结果表明光发射主要来自于SiO：层中的发光中心上的复合发光。 关键词：Si／Si02薄膜；电致发光；发光中心 中图分类号：0472+．8文献标识码：A 1 引言 硅是间接带隙结构，一般认为不可能作为可见光发光物质而被广泛地利用。为了实现硅 基可见光的发射，研究者们作r不懈的努力，尤其是对有应用前景的可见电致发光。1995年， Lockwood等对非晶Si／SiO，超晶格观察到了室温下的光致发光”。，他们将短波发光带的起因 归于量子限制效应；而将长波发光带归于稳定的与氧有关的缺陷中心。秦国刚教授等用磁控 溅射法制备了Si／Si02超晶格膜，观察到了金／Si／SiO：超晶格)／p一硅结构的可见电致发光。“： 为了控制纳米硅层厚度．提高发光效率等发光性能，我们采用磁控溅射方法制备了Si／SiO：薄 膜，首次观察到了半透明Au／(Si／SiO：)／p-Si结构的电致发光，系统地研究了Si／SiO：薄膜中 si层厚度和测量时的输人电功率对电致发光谱的影响。 2 样品制备 底上的。两个交替溅射靶分别为纯SiO：靶和高纯多晶Si靶。将各类样品中的SiO：层的厚度 均控制在8nm(厚度是用台阶仪精确测定的)，分别控制四种薄膜中si层的厚度为4nm，8nm， 12nm和16nm。然后在薄膜上面溅射半透明的Au膜以形成电极。这样就形成了四种Au／ 5n3m。 (Si／SiO：)／p-Si结构，每个管芯直径1 收稿日期：2000—07—01；修订日期：2000—08—24 基金项目：国家博士后基金资助项目(9557)；甘肃省教委科研资助项目(981—17) 作者简介：马书懿(1965一)．女，副教授，博士后． 4期 马书懿等：A∥(SLzSiO：)／p型si结构的可见电致发光研究 3 测量结果 有整流效应，Si层厚度越薄，该结构的电流越大。所有结构的反向漏电流均比较小。 图2示出的电致发光谱线是在9V正向偏压下分别 对四种Au／(Si／SiO：)／p-Si结构测量得到的。当正向偏 V时，该结构就出现 压(p—si衬底接电源的正电极)大于5 可见光，它在黑暗背景中就可以看见。当加以反向偏压 时．观察不到电致发光。所有的Au／(Si／SiO：)／p-Si结 构的电致发光谱的峰位均位于660ran处。当Si／SiO：膜中 si层的厚度从16nra减小到4rim时．电致发光谱中660rim 发光峰的峰位几乎不移动，而发光强度随着si层的厚度的 减小而增大。 Si层厚度的Au／(Si／ 图3表示在各种偏压下，8rim SiO：)／p—Si结构测得电致发光谱，可以看出660rim的发光峰 的峰位不随所加偏压的升高而移动，只是发光强度增强。 oftwoAu／s∥ 1／-Vcharacterlsfics 4 讨论 Fig