Ge-SiO-%2c2-薄膜发光研究.pdfVIP

Ge-SiO：薄膜的发光研究‘ 叶春暖1，汤乃云1，董业民3，昊雪梅1，诸葛兰剑2，余．跃辉，，姚伟国， (1．苏州大学物理系．江苏苏州215006；2．苏州大学分析羽试中心，江苏苏州215006 3．中目科学院上海冶金所离子柬开放实验窒，上海200020) 摘要，采用射囊磁拉藏射技术制参7Oe-SJO，薄纯石英靶制备了不合Oe的Si岛薄膜样品和膏搿·sjq 膜-在N，气氛下进行了不冉沮度的退戈处理，分析 薄膜掸品． 了样品在室盛下的光致炭光(PL)特性．甘薄蕨的 K 采用Rig^b．D／Max-3C型x射线衍射仪(cu 站构进行了袁征．通过XRD．)口s、FFIR谱分析说 口射线。^—o_15406吼)对样品进行X射线新射∞) 明样品的发光特性与其持构相对应，394nm的发光分析，用P埘-550型光电子能谱仪(bigK。射线，h 是由GeO缺陷引起的，580rim的生光与SiO．(x2)v=1253．6eV)进行x射线光电子帕谱。l田s1分析． 中的某种发光中一譬相联系． 采用美国Nj硎ct公司生产的AVATAR360型博立 关键词zCm-Si02薄蔗；罐控蠢射；光致发光；缺陷； 叶变换红外光谱仪进行傅立叶变换红外吸收光谱 发光中心 (FTIR)测量，用HitachiF-4010荧光分光光度计进 行P己谱测量，激发光源为150W的xe灯．所有测 1引言 试均在室沮下进行，光谱曲线未作额率响应校正。 si是一种非直接带晾半导体，基本上是非发光 3结果与讨论 材料．为了寻找光电集成用的硅基发光材料，已有 不少研究者在硅基片上制备出了si、Ge纳米t嵌薄3．1样品的缩构衰征 a可以 膜．研究了其生长过程和结构性质，井观察到其位 不同温度遇火后的样品的XRD谱如图1 看出：遇火温度To=500C时．对应j苹品无明显的晶 于可见光波长范围的光致发光(PL)与电致发光(EL)· 例如．s’．注入si吼薄膜有三个主要发光●掣“．O矿注 态衍射特征峰；T,=600℃剥开始有衍射峰-对应藿 块体Ge叠剐石结构的(111)面，但它比块俸Gc 入Si02薄膜能同时发射蓝光及紫光闭，si纳米镶嵌 薄膜在波长为2，Om光的激发下能发射波长在 的衍射峰为宽．说明此时已开始有oc纳米晶形成· 随着遇火温度升高．衍射峰数增加t多出的两个蜂 450IIm至700hm范围的光m；电致发光峰位位于 i) 分别对应块体Ge金日4石结构的(220)面、(31 510hm和640ttmIN．本文采用磁控锻射复合靶技术 所制备的薄膜．经过后遢火处理工艺．在波长为 面．它们的衍射峰半高宽均碱小．根据铀㈣公费1l 可以算出＆晶粒平均尺寸从600c时的3．9Dm增大 240am的鬻外光激发下舱同时发出394m的紫光和 580hm的黄光． 蓟10000C时的6’lm． 2实