＜＇1＞MIM隧道发光二极管电子输运研究.pdfVIP

114IH隧道发光二极管的电子输运研究 俞建华 王茂洋 孙承休 (东南太掌屯子工程系南京210096) 摘要报告了MIM$l道二极管的发光和负阳蕊象，用梯形势垒计算了电流一黾压特性．结 果显示，由于SPP玻j!电子的阻挡和柬缚作用引起的势垒平均宽度的增加所导致的1矗阻现象 与实验结果相符合． 关键词MIM隧遭二：极管，发光，电子输运 蛾 中图号0482．3，YN383，TN312 1引言 ； jj 金属／绝缘屡，金属．(简称MIM)隧道二彀管的可见光发射现象最早于己于人1976年由 Lambe等人发现“1，作为一种低直流驱动电压(3—5V)．全固态的平面型发光器件，它具 有与微电子工艺兼答．发光颜色可调，工艺简单等特点，具有广阔的应用f；钉景，如用作薄膜寻 址阵列显示吐双稳态光学开关Ⅲ，超高速三端器∥”，光电集成领域中的激光源制作离分辨 力的隧道电子显激镜弘利用它的效应作成响应为10“秒量级的微型光探测器嘲等，它的发光 Pla．mon 机理是隧道电子激发起的表面等高激元(Surface 度的耦台…1，对研究固体元激发过程有重要意义．因此引起了许多国家研究人员的兴藿州． 隧穿电子在MIM隧道二扳管的发光中扮演着重要角色，研究电子在MIM结构的输运过 程对理解器件的-rN{：机理有重娶意义．本文瞳立了MIM隧道二极管的势垒模型，得到器件电 流的分析表达式，爿：计算了电流一电压特性． 2安验 榉品制备 Mile[隧道二报管的示意图1．～Au．～IgF2膜分别在油扩散象真空系 真空度为10。h量级A12哂是～膜在空气中自然氧化而成，厚度为3mm左右． 2．2发射光谱 在毫温大气中侧得的MIM隧道二扳管的发射光谱如图2所示．发射光谱与表 面粗糙麦之间的关乐在文献…中已进行了详细的描述，与两步光发机制”’梧嘲合． ：．3电流——电压掣F惶采用四端法在室盈大气中铡得的MIM隧道二投管的电流——电压特 性曲线如图3所j示，图中表现出了明显的负阻fdlJdV0)的区域．实验中发现洋晶出现负阻 现象时一定能发光． 3势垒模型 3．1符号说胡 wl一底电报越的功函数 w：一顶黾投Au豹功函数 nl—m中的费密能级 q2一Au中的费密能级 谚●◆ x一越和^Ⅱ阈绝缘层的电子禁和毒争d—m和Au蜃的势垒更雯 (Dl一一嵌电设A1-5绝缘屡界面的箨垒高奠ob一底黾极Au与绝缘屡异瑟的磐垒离度 默 m’一一毫子的育效重量 e一电子电荷 m。一皂由电子拘质量 jo=蛀一o： 啦=Wz—ex 国系皇然科掌鼍拄资助的瀑题，批准 194 Au M矿2 一1 。{ AAIi203 GlILlS 髯 5∞，J