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湖北省物理学会、武汉物殚学会 2013年学术年会论文集(摘要)
ZnGaO界面导致的电致发光与光电探测集成器件研究
周海，十浩+
湖北大学湖北竹武汉市430062
与反向偏压分别实现了发光二级管与紫外探测器的性能。我们以单晶的n型GaN为衬底，采用磁
器件的发光与探测性能研究，发现随着沉积温度从100。C到300。C的上升其电致发光有个从可见优
先到紫外优先模式的转变：然而其紫外探测性能表现了相反的特性。在100。C显示了最好的紫外
探测性能：最低的暗电流、最高的光／暗电流之比，同时在365nm显示了最高的探测性能。
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图24i同温度沉积的MD。。Zn—O／GaN异质结的光
图l不同温度沉积的Mn。．Zn。O／GaN异质结LED的窜
敏性能：(a)暗电流曲线：(b)光／暗电流之比与反
温电致发光曲线：(a)100。C：(b)200。C；(C)300。C。
偏压的关系曲线：(c)探测度与反偏压的关系曲
(d)300。C沉积的Mn：ZnO器件在小波长范围的室温
线；(d)100。C沉积的Mn：ZnO器件的响应度与波
电致发光曲线，插入图是发光强度与注入电流的关系
长的关系曲线。
曲线。
参考文献
Chenand transitionfromvisible-to
【l】HaiZhou，YongdanZhu，HaoWang，Xu GuojiaFang，Electroluminescence
ultraviolet-dominantmodeinn-Mn0．04Zn0．960／i—ZnGa204／n-GaNstructurewith ultravioletdetection
hi曲ly
ElectronDevice
performance，IEEELetters，34，423-425，2013．
通讯作者简介：王浩，男，博士，教授，从事光电子器件、太阳能电池等领域的研究，电话02788662550，
nanoguy@126．com。
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