非晶Ge纳米薄膜的红外光致发光性能的研究.pdfVIP

201 1年全国硅基光电子材料及器件研讨会 非晶Ge纳米薄膜的红外光致发光性能研究 李惊徐骏术林涛李伟陈坤基 南京大学电子科学与工程学院，固体微结构物理国家重点实验室， 物理学院，南京210093 ·通讯作者：junxu@nju．edu．cn Si基光源是实现单片光电集成的关键，也是长期以来人们一直关注和研究的前沿问题 之一ll】。特别是为了克服体硅材料发光效率低下的问题，多年来国内外很多研究小组在纳米 Si量子点的制备与发光特性研究方面开展了大量工作，并在室温下实现了较强的光致与电 致光发射，其效率比体硅材料有了明显的提高。一般认为，这是由于量子限制效应使得在纳 米尺度下，电子和空穴的辐射复合几率大大增加所致。但对于硅材料，量子限制效应也导致 带隙随着尺寸减小而增宽，使得纳米硅量子点的带隙大于体硅材料，因此纳米硅的发光波长 主要在可见光区域，无法满足光通讯与光互连对波长的要求。 作为另一种重要的元素半导体材料，半导体Oe的禁带宽度是0．67eV，虽然它也是间接 能带结构，但Ge的直接带隙为0．8eV，与间接带隙能量相差不大，且正好对应于1550rim 的波长，与光通讯和光互连对波长的要求相匹配，因此，近来引起了人们极大的兴趣。最近， 光泵浦激光，使得Ge的发光性能研究有了长足的发展。相对于晶体而言，非晶材料的优势 除了制备成本低外，光学跃迁过程可不受K空间守恒的限制，因而原则上所有可能的跃迁 过程都会发生：若在空间维度上再加以限制，则可能提高跃迁效率，获得红外光发射。在以 前的研究工作中，我们在等离子体增强化学气相沉积系统中制备了非晶锗薄膜，研究了功率、 氢气流量、衬底温度等制备条件对Ge薄膜结构的影响【31。在本文中，我们制备了不同厚度 的非晶锗薄膜，其厚度从160rim到5rim之间变化，在对其结构进行研究的同时，对非晶Ge 纳米薄膜的发光性能进行了探索。 气源，制备出了氢化非晶锗(a-Ge：H)薄膜。通过椭圆偏振光谱仪得到了样品的厚度。利用 激光．拉曼光谱(Raman)、紫外．可见分光光度计、椭圆偏振光谱仪和变温光致发光(PL) 谱等手段对薄膜的结构和光学特性进行了表征。图l是给出了样品的Raman光谱，由图可 以看到，不同厚度的样品都在～278cm。1附近呈现出一个弥散的峰(Ge-GeTO模式)，表现出 非晶Ge薄膜的结构特性。光吸收特性表明，a-Ge：H的带隙为1．0．1．IeV，随着厚度减小， 光学带隙没有明显改变。我们对所制得的样品进行了变温光致发光研究，激发光源为He．Cd 光谱。由图可看出，a-Ge：H薄膜的PL谱呈现出一个较宽的发光带，中心波长～1．6肛m，恰好 与光通讯和光互连所需的波长相匹配，但发光波长与之前报道的有所不同14】：随着测试温度 的增加，发光强度逐渐减弱，但峰位不变；随着薄膜厚度降低到20rim以下，发光峰位蓝移 能随薄膜厚度的减小由3meV增大至64meV。我们初步认为t发光性能的改善可能与厚度 方向上的限制作用有关，使得辐射复合的效率得以提高。 39 201 1年全国硅基光电子材料及器件研讨会 图1、不同厚度a-Ge：H样品的Ramnn光谱。 图2、10K下不同厚度a-Ge：H薄膜的光致发光谱，激发波长为325nm。 我们利用PECVD方法制备出了非晶Ge纳米薄膜，对其进行了结构和光学性能的研究， 观察到了低温下的光致发光现象，发光波长在1．5．1．6肛m之间。随着薄膜厚度的减小，辐射 复合增强，通过钝化薄膜中的缺陷以减小非辐射复合几率，有望进一步获得较强的红外光发 射。 的支持。 参考文献： in 【1】L．Pavesi，Advances OpticalTechnologies2008(2008)1-13． Liu,XiaochenSun,Rodoifo