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光刻工艺参数的优化方法.pdf
22 1 Vol.22 No.1
2001 2 Semiconductor Optoelectronics Feb.2001
:1001-5868(2001)01-0052-02
刘忠安
( , 210016)
: 通过引入有效时差的概念,提出了一种可模拟光刻工艺参数间的相互关系及 化光
刻参数的方法。与Dill 及Mack 等的方法相比,该方法可直接建立光刻工艺参数之间的关系, 并可
对光刻工艺进行 化设计。
: ;;
: TN305.7 :
Optimization of Photolithography Process Parameters
LIU Zhong-an
(National Flat Panel Display Engineering Technology Research Center,
Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, China)
bstract: methodof simulating andoptimizinglithographicprocessparametersisproposedbased
on the concept of effectivetime difference.Comparedwith the Dilland Mack method, this methodcan di-
rectly establish therelationsamongtheprocessparametersandoptimizethelithographicprocess.
Key words: lithographic process;effective time difference;optimization
1
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:2000-06-05
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22 1 刘忠安: 光刻工艺参数的 化方法 5 3
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