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电子束纳米图形曝光邻近效应校正技术 010 中国科学院微电子中心 100029 陈宝钦刘明任黎明 摘要：本文介绍采用高斯柬电子束曝光系统实现纳米结构图形电子束直写的关键技术一电子束 邻近效应校正技术。重点介绍电子柬在抗蚀剂膜层及基片衬底中的前散射和背散射电子对纳 米结构图形加工的影响、电子束散射轨迹蒙特卡罗模拟技术、邻近效应校正技术及电子束曝 光显影工艺模拟技术。 前言 电子束直写技术是迄今分辨率晟高的一种曝光技术．电子束纳米图形曝光技术将是量子 线、量子井激光器、电子波衍射晶体管、高电子迁移率晶体管等新一代集成光学器件和超高 频电子器件研究和开发的基础技术。 中国科学院微电子中心于1998年从日本引进一部JEOL JBx5000LS电子束光刻系统，最细的电子束柬斑为8纳米，为我们开展深亚微米及纳米级微 细加工提供了一个很好的技术手段．’九五’期间我们利用该系统开展0．1～0．35微米器件和 集成电路的研究和开发工作．顺利完成多项国家科技攻关任务，成功地研制出0．18微米的电 路和74纳米器件，’十五’期间我们将利用该系统开展20～50纳米尺寸结构及新器件研究和 开发工作。 电子束曝光所涉及的问题就是电子束和抗蚀剂之问的相互作用，进行能量转换，抗蚀剂 吸收了电子束的能量后发生化学变化，通过显影准确地在基片表面形成特定的抗蚀剂图形。 能量转换所讨论的问题主要是电子散射的作用，而对形成准确的抗蚀剂图形影响最大的是邻 近效应问题。因而电子束曝光系统应用于纳米尺寸曝光所需要解决主要是如下三个方面的问 题： 1．高分辨率扫描电子束条件的改善，如降低束流使电子束处在最细束斑状态，采用近矩离扫 描透镜(5Th)和小扫描场．高精度调整电子光柱的对中、像散和场拼接状态。 2．采用高灵敏度、高分辨率和抗等离子刻蚀强的电子抗蚀剂．薄胶工艺及多层抗蚀剂与多层 结构的纳米图形转移工艺技术。 3．邻近效应校正技术的应用，包括减少电子散射效应影响的措施，如低散射基片和高原子序 数材料夹层技术，采用线曝光技术和几何修正技术，电子束曝光剂量调制邻近效应校正技术。 本文重点讨论邻近效应校正问题。 电子散射模拟技术 电子柬曝光是以数十千电子伏特的高能电子束照射到滁覆抗蚀剂膜层晶片上，入射高能 电子与固体中的带电粒子产生弹性和非弹性碰撞，入射电子与原子核之间产生弹性碰撞，由 于原子核的质量比电子大得多，碰撞后可认为电子能量不发生变化．但运动方向发生改变， 经多次碰撞不断改变入射电子的运动方向．范围也随着电子射程不断扩大，与此同时电子还 会与原子核周围的电子云发生非弹性碰撞，产生能量转移，原子被激发或电离，入射电子能 量不断丢失，同时伴随着x射线或激发其它电子(如二次电子、俄歇电子)，电子在抗蚀剂中 主要产生小角度散射即前向散射(前散射)，电子能量迅速衰减．其中剩下几十电子伏能量的 低能电子和二次电子具有强烈诱导抗蚀剂发生化学反应能力．使该区抗蚀剂感光．由于抗蚀 剂中的散射电子和二次电子将偏离入射方向参与邻近区域曝光，使抗蚀剂底层感光增强并喀 有扩展(通常波及范围在o．1微米左右)。同时还有相当部分的高能电子将穿透基片表面进入 衬底，进入基片后的电子继续和基片中的粒子产生碰撞，井会产生犬量的大角度散射，电子 背离入射电子的运动方向，这些背散射电子还会穿过界面再回到抗蚀剂中参与邻近区域曝光 (由于这些电子散射角较大，通常波及范围在l～2微米左右)，背散射电子所扩展的距离几 乎与电子射程相当，从而使整个需要曝光的图形区和邻近区域抗蚀剂吸收能量分布发生变化， ·262· Z=14)、=氧化硅(Si02 变得复杂化，严重地降低了电子束曝光的图形分辨能力。我们对硅(si Z=23)、砷化镓(GaAsZ232)、 Z=13)、铬(crZ=24)、锗硅(SiGe Z=IO)、铝(Al z=lo)、氮化硅(si3N4