一种应用于QWIP阵列的CMOS读出电路设计.pdfVIP

曲建国1一，马文龙2一，吴争艳2，余宁梅1，燃2 (1．西安理工大学自动化学院电子工程系，西安710048；2．中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(筹)， 江苏苏州215123：3．中国科学院半导体研究所，北京100083) 摘要： 由于量子阱红外探测器(OWlP)具有光吸收系数小、暗电流大等缺点，因而在设计其 读出电路的光电流注入和暗电流抑制模块时困难比较大。设计了—种应用于QwIp的读出电路， 电路等相关电路结构，有效地抑制了暗电流和噪声对电路的影响。电路仿真结果及芯片测试结果 均表明，电路明显地抑制了QwIv的缺点。电路0～2v偏压可调，读出帧速为10kHz。 关键词：QwIP，读出电路，CTIA，暗电流抑制。CDS 1 引言 红外焦平面阵列是获取景物红外光辐射信息的莺要光电器件，主要由探测器阵列(DA)和读出电路 (ROIC)构成。红外探测器阵列通过铟柱压焊的方法与硅衬底的读出电路相连接，读出电路对信号进行积分、 读出、噪声消除，整形后输出。与其它红外探测技术相比，Qw伊具有响应速度快、探测率与H舳探测 器相近和探测波长可通过量子阱参数的调整加以控制等优点；其缺点是是光吸收系数小，暗电流大等。这 些缺点增加了电路设计中的光电流注入和暗电流抑制的困难。 2电路结构分析 本文电路采用C皿～方式进行电流注入，skimming方式进行暗电流抑制，箝位cDS方式进行噪声消除， 以取得最佳的采样效果。图l为本文采用的单元电路结构，主要包括：1)CrIA输入电路，2)暗电流抑制 电路，3)筘位cDs电路。其中，A部分为探测器的等效电路模型，Cint为积分电容。 图1单元电路结构 2．1 CTIA(电容跨阻抗放大器)结构 CTIA(电：黼阻抗放大器)结构是将积分电容和复位管放置在放大器的反馈回路中。该单元电路的工 作流程如图l所示。当RLeset信号为低时，MOS开关开通，由于运算放大器的虚短特性，输入端的电压与、7com 相等，此时的积分电容两端电压相等，都是Vcom。当Reset信号变为高电平时，MOS开关关断，由于输入 端的电压由Vcom控制，因此，在积分电容C缸右极板E产生感应电荷并慢慢积累，右极板电压逐渐增大， 开始积分过程。由于积分电容器的密勒效应，CTIA可以使用很小的积分电容，以获得低噪声和高灵敏度。 2．2暗电流抑制 由于Qw口产生的光电流一般为十几nA，而暗电流通常要到上百m～。因此，在单元电路中，必须采用 方式的工作原理如图1中电流所示。通过调整Ml管上的栅极偏压vsk，使从该MOS管上通过的电流大小为 流Idet。而在整个单元电路工作的过程中，这个MOS管起到了一个分流的作用，使暗电流不会流入后面的单 元电路部分，从而有效地抑制了暗电流。 2．3．CDS采样电路 CTIA方式的读出电路中，积分电容的Reset开关过程会引入大量KTC噪声。本电路采用箝位相关双采 样电路进行噪声抑制。其主要特点在于只用—个采样电容，就可以实现两次采样的减法过程。与一般的CDS 电路相比，省去了一个采样电容，节省了电路面积，降低了电路功耗。其电路结构如图2所示。工作过程(见 完成后，通过后面的列传输门结构，当CS为高时，采样电压被输出。 V蛔 图2．箝位相关双采样电路结构 2．4数字控制部分： 本电路的数字控制部分为整个{卖出电路提供所有需要的控制信号。根据所提供的控制信号，此读出电 路中数字控制部分分为五个部分。 图3数字电路部分与像元阵列整体框图 1)积分计时控制模块：采用计时器方式控制积分时间，输入只有外部时钟信号和帧同步信号，输出为 23l 计时结束的积分完成信号，该信号将输入到电路的控制信号模块： 2)控制信号馘为蓥个电路提供主要的使能信号．以及CD$的箱位控制信号； 3)积分控制模块：采用行积分，列采样的方式，为阵列的每行$酬}积分控制信号， 4)行选控制信号：为阵列提供每一行的选通信号； 5)列选控％帖弓：为阵列提供列选通信号，同时，与行选控制模块戈同控制阵列的输出。 其中，积分控制、行选、列选模堍主要采用移位寄存器的^式进行b}汁，其控制原理相埘比较简单a 各个数字控制模