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环渤海表面精饰发展论坛论文集
电化学制备、表征及性能研究
朱艳兵，王为+
(天津大学化工学院应用化学系，天津300072)
摘要：采用电化学控电位沉积的方法，在镍基体上制备了(Bi．§b。)盯e。，Se，h温差电材料薄膜。为了提
高其结晶度及温差电性能，对制备的温差电材料进行523K退火2h处理。通过XRD、ESEM、EDS等方法
对电沉积薄膜的结构、形貌和组成进行了研究，并测试了在不同电位下制备的(Bi。唷sb，)：fre-，se加薄膜的温
差电性能。研究结果表明，在含有Bi“、HTeO“、SbO+和HTe02+的溶液中，采用控电位沉积模式，可实
现铋、锑、碲、硒四元共沉积，电沉积(Bi。一。跳)2(Te，囊小薄膜的掺杂浓度对沉积电位敏感。采用控电位电
mw·K4·m-1，对应的薄膜材料组成为
沉积制备的温差电材料能达到的最大功率因子为0．48
BioJ，Sbl■rez∞S魄Io
关键词：电沉积；温差电薄膜；㈣。jhkfre。1se山；结构；性能
Thermoelectricalof 3
propertiesp—type(Bil一。Sb。)2(Tet-ySey
Thermoelectricmaterials
preparedbyeIeCtrOdepOSitiOn
Zhu，Wei
Yan-BingWang’
of ofChemical and
(DepartmentChemistry，SchoolEngineeringTechnology，Ti蚰jinUniversity，Tianjin
Applied
300072，China)
filmswere cathodic
Abstract：p-typo(BiIj吣frellS的，thermoelectricpreparedby electrodeposition
onnickelsubstratefromnitricacidsolution atroom ordertoenhancethe
technique system temperature．In
with thermoelectricofthe were
orientation。曲well鹪the depositedfilms，they
crystallinitypreferred properties
annealedat523Kfor2hunder condition．The
nitrogenatmosphericpressure
of filmswerecharacterized and
the XRD，ESEM
compositionsdeposited by EDS，respectively．Seebeck
resultsrevealedthat andSe
thefilmswerealsoevaluated．The Bi。Sb。Te
coefficients(a)andresistivities(P)of
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