渐变带隙p-i-n非晶纳米硅太阳电池的设计.pdfVIP

渐变带隙p-i-n非晶纳米硅太阳电池的设计 1 1 2 2 1 1 1 1 1 于化丛，崔容强，杨宏，王鹤，赵占霞，赵亮， 彭华，刘志刚，周之斌， 孟凡英1，何宇亮3 （1 上海交通大学物理系太阳能研究所，上海，200240） （2 西安交通大学光电子系太阳能研究所，西安，710049） （3 江苏威孚纳米科技发展有限公司，无锡，214028） 摘 要：p-i-n型非晶硅基太阳电池的界面因素及S-W效应问题，一直困扰着光伏科学界；为提高该类太阳电池转换效率和降低 光致衰减，这两个方面的研究因此成为薄膜太阳电池的研究热点。为此整个光伏界付出了不懈的努力。本文将从能带结构工 程角度，利用纳米非晶硅的带隙与材料成分和结构的关系，本文首次设计出了p-i-n各层，并使其p、i、n各层按顺序能带渐 变，不仅避免了为降低界面效应而引入的缓变层（buffer layer）而导致的I-V特性畸变，而且纳米硅作为窗口层，改善了其 光电导；纳米非晶硅i层作为活性层，将大大降低S-W效应，增加光电导，同时增大了进入纳米非晶硅i层作为活性层的光吸收， 从而提高了整个太阳电池的光电转换效率和开路电压并降低了光衰减。这样将原来对p-i-n型非晶硅基太阳电池内禁带带宽不 同的各层材料研究，上升到宏观的整个p，i，n各层材料带宽结构综合考量，把这些问题整体上解决。并在该理论的基础上， 提出工艺实现的方法。 关键词：渐变带隙，连续禁带宽度，p-i-n, 太阳电池，能带工程，非晶硅基 1.引言 一般典型的非晶硅基薄膜太阳电池[1,2,3,4,5,6,7]采用pin型结构，其中，在玻璃衬底上制备的非晶硅基太阳 电池的结构为：Glass /TCO /p-a-SiC:H /i-a-Si:H /n-Si:H / TCO/Al, 在不锈钢衬底上制备的非晶硅基 太阳电池的结构为：SS/ ZnO/ n-a-Si:H/ i-a-Si(Ge):H/p-nc-Si:H/ITO[8,9,10]，它们中都包含了一组界面， 对非晶硅太阳电池的性能有决定性的影响[11,12]。简而言之，这些界面可分为p型界面和n型界面：p型界面包 括p-a-SiC:H （或p-nc-Si:H）层与透明导电氧化物膜TCO所形成的准肖特基结和p-a-SiC:H （或p-nc-Si:H） 层与i-a-Si:H层所形成的异质结和i-a-Si:H层与n-a-Si:H层所形成的异质结。这些界面将引起界面两边能 带边的补偿和附加界面层的影响，极大地降低太阳电池的转换效率[1]。 为了增加光吸收，让尽量多的光子能够进入p-i-n太阳电池的激活层（I层），采用渐变带隙结构。渐变 [2,3,12] 带隙p-i-n非晶纳米硅太阳电池能带结构示意如图1所示 。 4 .0 E v E F E c 3 .5 ) V e 3 .0 ( t p o