MOCVD制备AlGaN基多波段布拉格反射镜.pdfVIP

窜十_●●■t●■●●I．tt-”lt●_#_弗●4 I MOCVD制备AGaN基多波段布拉格反射镜 刘斌lp张荣“，谢自力1，张禹L2，姬小利1李亮1，周建军1， 江若琏‘，韩平1，郑有蚪1，龚海梅3 1．扛苏省光电信息功能材料重点实验室．南京大学物理系，扛苏南京210093；2．北京科技大学物理系，北京100083； 。 3．中国科学院上海技术翱理研究所．上海2—00080 翦要一 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统0dOCVD)制备AIGaN基多波段布拉格反射镜．多十布拉格反射镜的工作波 长疆盖从蓝绿光至紫外范围。分别由多周期的双层结构GaN／AIN．AIo，G砘7N㈣．Al¨GI吣N，A肼组成．这些多周期光学结构都 生长在O啪支掉层上．AFM研究发现这些布拉格反射镜具有平整光滑的表面，其粗糙度小于lnmlx射线衍射谱和截面透射电镜 圈片表明它们具有完整的周期重复性和滑晰的界面．利用可见一肇蚪光谱仪研究这些布拉格反射镜的反射谱，发现反射事和半峰宽 不仅与周期教有关也与两种材科的折射率系数差有羌． 关键诃：金属有机物化掌汽相淀积；布拉椿反射镜-反射聿 一．引言 随着三族氮化物(AlN，GiN丑IN)在蓝绿光和紫外光电子器件领域的广泛应用，人们采用垂 直共振腔结构来提高器件的量子效率Il』。高反射率的CaN基分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflctors)是垂直共振腔的重要组成部分和提高量子效率的关键结构，因此得到了集中的 AIGaN／Ga．N等双层周期重叠组成降叫．制各高反射率的AIGaN基反射镜具有较大的难度，原 因在于AIN与GaN之间的折射系数对比度低而晶格失配却很大(4．2％)t61。低折射系数差使 A1GaN基反射镜需要较多的周期才能达到较高的反射率。但大晶格失配决定了这种多周期光 学结构中存在大量的应力，容易形成位错(disloca舶ns)和裂纹(cracks)川。 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)制备的AIGaN基多波段布拉格反 射镜。多个布拉格反射镜的工作波长覆盖从蓝绿光至紫外范围，由多周期的双层AIN／Ga．N， A1GaN／A】N组成。AFM研究发现这些布拉格反射镜具有平整光滑的表面；x射线衍射和截面 扫描电镜图表明它们具有完整的周期重复性和清晰的界面；最后利用可见一紫外光谱仪测量 了它们的中心反射波长、半峰宽和反射率。 二．实验 利用光学传输矩阵方法设计不同反射中心波长和不同双层材料结构的布拉格反射镜”l，其 它的工作在紫外UV-B波段，中心波长330rim：结构2是由AIo5Ga05N，AlN双层组成，15个 在2英寸蓝宝石(0001)上生长这些反射镜结 第十霸l量_+t青-牛●薯．tt-忡光电l■q怫●—馐 结构3 结构2 结构1 圈I三种工恬在不同渡段的布拉格反射境的结构示意图 构。Ⅲ族有机Ga源和Al源分别采用三甲基镓OMGn)和三甲基铝(1MAl)，用l王2作为载气， V族反应气采用氨气(NH，)。首先，在1150℃下用H2清洗宝石表面，然后采用标准的两步法 生长高质量GaN支撑层。GaN生长结束后，将反应腔温度保持在l100℃，压力100Torr，进 行反射镜结构(GaN／AIN，AIGaN／A1N)的生长。周期和各层生长厚度按照设计要求。生长速率 过程用原位光学干涉仪监控，可以观察到由薄膜光程变化引起的干涉条纹。2英寸外延片透明 均匀，用光学显微镜这些反射镜的表面几乎没有观察到裂纹。 利用DI公司NmoscopeIlia型原子力显微镜(AFM3钡4量了这些反射镜的表面形貌。 X’Pert P∞alyticalMRD型高分辨X射线衍射仪对这些周期结构进行了测量。利用日立公司 I-IF．2000型场发射高分辨透射电镜分析了样品的截面。在室温下，利用ShimadzuUV2201紫 外可见分光计测量了这些布拉格反射镜的反射谱。 三．结果与讨论 图2是结构2 Alo3Ga07N／A1N反射镜的表面形貌，AFM采用为接触模式(contactmode)测 量，范围为5x5微