纳米器件容错方法.pdfVIP

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容错理论5应用 FauhTolerant Theory&Application 纳米器件容错方法 陈昕3,江建慧b (同济大学 a.电子科学与技术系;b.计算机科学与技术系,上海201804) 摘要:进入新世纪以来,微电子技术继续按摩尔定律高速发展。与此同时,纳米电子技术进入应用阶段, 由于纳米器件的高缺陷密度本质,很多研究机构开始容错研究。概括地讲,由于依靠分子自组装制作纳米器件 时的化学和物理机制还不十分清楚,目前纳米芯片的缺陷在制作功能完整的电路时,必须通过容错方法加以避 免;集中了较多研究的方法是用缺陷地图来实现容错,依靠测试和诊断的方法确定缺陷的位置,可用在_以类FP— GA器件和PLA器件为目标的设计中。 关键词:纳米器件; 自组装;容错;缺陷地图 中图分类号:TP302.8文献标识码: A 文章编号: 1003—353X(2007)增刊一0038—03 Fault Toleranceof NanoscaleDevices CHEN Xina,JIANGian-hui6 J ElectronicsScienceand (n.Dept.of Technology; Scienceand b.Dept.ofComputer Technology,Tongji 201804,Chi竹以) University,Shanghai Abstract:Sincethenew has with century,microelectronics the of keptrapidprogress pace Moorelaw.At thesame time,nano-electrionicsis into tothe technology put application.Due high defect natureof research density are into nano-devices,many faulttolerance.In agenciesengaged thechemical and mechanismsof summary,because nano-devices physical

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