纳米多孔硅可控制备研究.pdfVIP

第28卷 第12期 电子测量与仪器学报 If．28 Ⅳ0．12 · 1308· JOURNALOFEl点CTR0NlCMEAsUREMENTAND INSTRUMENTATION 2014年 12月 DOI：10．13382／j．jemi．2014．12．002 纳米多孑L硅可控制备研究 许高斌 卢 翌 陈 兴 马渊明 (合肥工业大学电子科学与应用物理学院 安徽省MEMS工程技术研究中心 合肥 230009) 摘 要：采用了自制双槽和电化学腐蚀法在不同电阻率的硅片上制备出表面平整度很好的纳米多孔硅层，利用场发射扫描 电子显微镜对多孔硅的微观形貌进行了分析表征。实验表明多孔硅的孔径、孔隙率和厚度随电化学腐蚀的电流密度和腐 蚀时间增加而增加，且电解液中HF(40％)和无水乙醇(99．7％)的配比很趋近时，多孔硅的孔洞分布均匀性越好。在电阻 率为0．0l～0．02n ·cm的P型硅片上制备的纳米多孔硅其效果相 比其他电阻率的要好。 关键词：纳米多孔硅；电化学腐蚀法；电阻率；可控制备；表征 中图分类号：TN4 文献标识码 ：A 国家标准学科分类代码：510．1035 Studyoncontrollablepreparationofnanometerporoussilicon XuGaobin LuYi ChenXing MaYuanming (MicroEleetromechaniealSystemResearchCenterofEngineeringandTechnologyofAnhuiProvince，Schoolof ElectronicScienceAppliedPhysics，HefeiUniversityofTechnoloyg，Hefei230009，China) Abstract：Thenanometerporoussilicon(PS)ofgreatsurfaceroughnesswasfabricatedbyelectrochemicaletching methodusedthehome—madedouble-tanksetupwithvariousresistivitysilicon．Themicro-structureofPSwaschar— acterizedwithfieldemissionscanningelectronmicroscope(FESEM)．Theexperimentresultsshowthattheporedi- ameter，porosityandthicknessofthePSareincreasedwithincreasingofthecurrentdensityandcorrosiontimeof theelectrochemicaletching．WhiletheelectrolyteratioofHF(40％)andabsoluteethylalcohol(99．7％)is印- proached，theporedistributionuniformityofPSisbetter．ThepreparationeffectivenessofnanometerPSisformed onP—type0．01～0．02Q cm siliconsubstrateisbetterthanothers． Keywords：nanometerporoussilicon；electrochemicaletching；resistivity；controllablepreparation；characteriza- ton 等。具有微米／纳米尺度孑L洞的多孑L硅在微传感器和 1 引 言 MEMS中应用得到越来越多的重视。国内外制备和 多孔硅以其优 良性能成为微机电系统 (micro 使用多孔硅的研究进展很迅速，已有采用先光刻后电 electromechanicsystem，MEMS)中的新兴材料 J，已 化学刻蚀制备条状阵列孔径偏大的多孔硅 5J，也有采 在MEMS功能结构层和牺牲层