移去电子阻挡层对双蓝光波长LED性能的影响.pdfVIP

第 14卷 ，第 11期 电 子 与 封 装 总 第139期 VO1．14，NO．11 ELECTRONICS＆PACKAGING 2014年 11月 ⑧⑧ @ ⑩@ @@ 移去电子阻挡层对双蓝光波长 LED性能的影响 严启荣 ，田世锋 ，章 勇 (1．广东省理工职业技术学校，广州I510500；2．华南师范大学光电子材料与技术研究所，广州510631) 摘 要：采用数值分析方法进行模拟分析InGaN／GaN混合多量子阱中移去P—A1GaN 电子阻挡层对GaN 基双蓝光波长发光二极管 (LED)性能的影响。结果发现，与传统的具有p-A1GaN电子阻挡层的双蓝 光波长LED相比，移去电子阻挡层能有效地改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性， 实现 电子空穴在各个量子阱中的均衡辐射。在小电流驱动时，移去电子阻挡层器件的发光功率要明显优 于具有电子阻挡层的器件 而在大电流驱动时，电子阻挡层能有效地减少电子溢流，改善器件的发光效率。 关键词：电子阻挡层；双蓝光波长；InGaNG／aN量子阱；光谱 中图分类号：0242．1 文献标识码 ：A 文章编号：1681—1070(2014)l1-0045—04 EffectofRem ovingElectron-b·lockingLayeronPerformanceofDual--blue W avelengthLight-emittingDiodes YANQirong，TIANShifeng。，ZHANGYong (1．GuangdongVocationalschoolofpolytechnic，Guangzhou510500，China；2．InstituteofOptoelectronic MaterialsandTechnology，SouthChinaNormalUniversity，Guangzhou510631，China) Abstract：Theeffectofremovingelectron—blockinglayer (EBL)onthephysicalpropertiesofdual-blue wavelengthlight—emittingdiode(LED)isinvestigatednumerically．Theresultsshowthatcomparedwith thedual—blueLEDwithaP—typeA1GaN EBL，itcanimprovethedistributionofelectronsandholesmore uniformlyinthemultiplequantumwells(MQWs)andrealizetheradiationbalancebetweendualb·luelight byremovingtheP—typeA1GaN EBL．ThelightoutputpoweroftheLED withoutEBLissuperiortothatof theLEDwithEBLatthelowinjectioncurrent．However，theleakagecurrentcanbereducedbytheEBL withhteinjectioncurrentincreasing，SOtheefficiencydroopwillbeimproved． Keywords：electron—-blockinglayer；dual--bluewavelength；InGaN／GaN quantum well；spectrum 流驱动时，发光效率也不高。导致LED发生光衰的原 l 引言 因有很多，如载流子