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液相外延法制备弛豫铁电PZNT膜。
曾新华O姚忻秦奋
(上海交通大学物理系 上海200240)
FabricationofPZNTFilms Phase
byLiquid Epitaxy
XinhuaYaoXin Fen
Zeng Qin
of
(DepartmentPhysics，ShanghaiJiaotongUniversity，Shanghai，200240)
摘要＼采用PbO作助溶剂，我们首次在钛酸锶衬底上获得[100](001)。。，／／
XRD等表征，并对外延生长机理进行了探讨。研究发现，由于晶格匹配、回熔及氧
化铅对村底的腐蚀等问题，在氧化镁和铝酸镧单晶体衬底上很难外廷生长PZNT
膜。通过在钛酸锶衬底上生长一层100nm左右的高c轴取向的PZT种膜，可以改
变外廷生长模式和明显改善外延膜的质量，使原来直接在钛酸锶上的岛状三维生
长变为二维生长，获得了几个微米厚较完整的PZNT膜。)
关键词PZNT厚膜液相外延晶体生长
a8 an PZNTfilmontheSTOsubstratewith
AbstractPbO have
Using flux，wegrownisland—shaped
Ⅻorientationrelation method．In
of[100](001)PzNT／／[100](001)㈣bytheliquidphaseepitaxi
WS．SstudiedaswellIt
this andXRDwere andthe mechanism
work，SEM performedepitaxialgrowth
of dueto
WaS thatPZNT can on or substrates
found the(001)planeLaAl03
grainshardlygrow MgO
and a
the back introducinghighly
problems，eg．1atticemismatch，meltingphenomenoncorrosion．By
PZNTfilmhasbeen duetothe
c．axisorientedPZTfilmasseed．theofthe remarkably
quality improved
modeandan
of LPE fromathree—dimensionalmodeintoatwo—dimensional
transformationthe growth
ofseveralmicronshasbeachieved．
PZNTfilmwithathickness
complete
approximately
PZNT，
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