低噪声InGaAs%2fInP雪崩光电二极管及暗电流分析.pdfVIP

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2017-08-08 发布于安徽
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低噪声InGaAs%2fInP雪崩光电二极管及暗电流分析.pdf

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第叶-．e-●?■化音■·牛●。俸、饿嗣L—l件和光’l■l件攀术●，议 V(V) 图3器件增益随电压变化曲线 asafunctionof ofthe Fi93multiplicationgain voltage device 图3是器件的增益随偏压变化的曲线。器件的增益可达30左右。图4器件晤电流随增益变化曲线 dark asafunctionof ofthe Fi94 current multiplicationgain device 一个合理设计的SAGCMAPD，其暗电流应该主要来源于热生暗电流，其隧道暗电流可以忽略不计，器件的暗电流可以表示为下 4 式： 5 (1) 6 Id-IdM+M+Idu 7 其中Id是器件的总暗电流，ldM是器件的 8 倍增暗电流，主要来源于器件的有源区，M 9 是器件的增益，Idll是器件的非倍增暗电流，任作诓佑诓诓引引 O，来源于器件的边缘部分。可见如果器件的隧 320 第十七一全固化膏糖半摹俸、馓波-件和光电器件掌术●议道暗电流可以忽略，器件的暗电流将随增益线性增加。图4是器件暗电流随增益的变化曲线。其中的直线是电流曲线的拟合曲线，作者简介：在增益小于13时，此直线与曲线很好的吻合，说明器件中暗电流主要来源于热生暗电李彬，男，1987年生，山流，表明了器件结构的合理性。当增益大于东泰安人，中国科学院半 13时，器件暗电流偏离线性，此时器件的工导体研究所博士研究生，作电压达到45．6V，及其接近器件的击穿电主要从事半导体雪崩光压46．5V，式(1)不再适用。电探测器的研究。 4结论本文报道了平面型SAGCM结构通信地址：北京市海淀区 InGaAs／InP雪崩光电探测器。通过采用刻蚀清华东路甲35号坑与浮动扩散保护环相结合的办法，器件通邮编：100083 过～步外延生长和一步扩散形成有源区并抑联系电