注入技术对高场强辐射场的模拟与实践.pdfVIP

第21 卷增刊 微 波 学 报 Vol.21 Supplement 2005 年4 月 JOURNAL OF MICROWAVES Apr.2005 直接电流注入技术对高场强辐射场的模拟与实践! 徐加征! 蒋全兴! 王! 巍 （东南大学电磁兼容研究室，南京#$$% ） 摘! 要：! 本文介绍了高场强电磁兼容安全裕度测试工具的一个替代技术：直接电流注入技术。文中通过理论 计算和试验测试，分析和验证了直接电流注入技术中注入功率与产生场强的关系及直接电流注入技术模拟高场强 辐射场的可行性，为进一步研究和应用直接电流注入技术提供了依据和基础。 关键词： ! 大电流注入，直接电流注入，高场强辐射场，电磁兼容测试 !#$%’() (* +,- .)’/)0’1 23’/3 4/%3 50), 67/8’ 9$77/)’ .):/8’() ;5 :=-/), ，.?@A B$)C), ，D?@A D/ （!# $%’ ()*+,-%.+ /012-3.1+4 ，5%06107 #$$% ，#,10% ） ?E0’78’ ：! ’()* +,+-. /*-* 0).-12 1/..-32 )34-12)53 2-1(3)6/- 25 *)7/8,2- 2(- ()9( )32-3*)2: .,0),2-0 ;)-80 2(-5.-2)1,88: =*2,8)*()39 , 15,?),8 8)3- 0-@)1- )* ,8*5 ,00.-**-0 ’(- .-*/82* @,8)0,2- 2(- ;-,*))8)2: 5; 0).-12 1/..-32 )34-12)53 A).-12 1/.B .-32 )34-12)53 2-1(3)6/- ,* , */*2)2/2- 5; ()9( )32-3*)2: .,0),2-0 ;)-80 2-*2 1,3 - ,++8)-0 25 =CD 2-*2 F/1 G(730 ：! E/8F 1/..-32 )34-12)53 ，A).-12 1/..-32 )34-12)53 ，G)9( )32-3*)2: .,0),2-0 ;)-80 ，=CD 2-*2 引H 言 IH 电流注入技术的基本原理 目前电磁辐射源的数量成倍增加，使有限空间 电流注入技术可以分为大电流注入（E/8F D/.B 的电磁环境日益恶劣。因此，电子系统在高场强辐 .-32 K34-12)53———EDK ）技术和直接电流注入（A).-12 射场作用下的电磁易损性（=CH ）越来越引起人们 D/..-32 K34-12)53———ADK ）技术。EDK 技术作为一种 的重视。对关键系统而言，测试时所需的电磁环境 替代的=CD 测试方法，主要用于电缆束的辐射敏感 场强常常高达数千伏每米，电磁兼容（=CD ）安全裕 度试验，其基本原理就是把电流直接注入到设备的 度要求大于或等于$ 0E 。因此，应用传统的电磁 电缆上来代替辐射场的照射。辐射敏感度测试是考 场直接照射技术就存在一些困难，需要寻求一种可 核电子设备对辐射电磁场的承受能力，观察其是否 以满足上述要求的简单、经济、有效的测试方法，电 会出现性能降低或故障，因此注入电流的大小要与 流注入技术正是满足上述要求的一种替代技术。在 设备暴露在辐射场的较坏的情况相符合。如果设备 国外，英国国防研究机构（A=IJ ）和英国航空部 在电流注入情况下产生的响应和在场照射时的响应 （EJ- ）对电流注入技术开展了一些研究工作。在国 是相似的，就可以认为EDK 测试和辐射场敏感度测