PTCDA%2fP-Si光电探测器研制.pdfVIP

PTCDA／P—Si 光电探测器的研制 怅描lIJ王德叫张杰祁荇 (兰州太拳糖曩{}肇号性木掌院兰州”洲 lI■年I用1．I簟=■黼俸^蠢辩■叠井矗挖丁有机丰辱体抖辩P1℃矾．迈过厦蜡．虹卅光谁、拽疆爿；撮浒．x射线讯且呵见光吸 收措一对选种村辩柏奄挎寰■和凫t收特性强行丁靠^-研究．在此‘础上研究试嗍出丁有机／无帆舟盘再埔结PTc卟，P—sl光屯掰翻曩． 1．引言 有机半导体材料．在多色有机发光器件及高散光电探测器t{-都有广泛应，H“1I．jE四甲陂二一f㈦ 4．9，10l，erylenete‘ra∞rboxylic 半导体材料．它的价带和每一紧束缚导带之问的能盈足2．2。v．在低于500屯的温皮下，』‘仃搬聃帕 热稳定性，a；易氧化和水解．它不溶于一般的溶剂，但可溶于Na2co。溶液． PTcn^的每个品胞有两个分子，其问的重叠距离足3．2l胪．它的分子式为q‘o‘lk，分予R为：192． 分子结构式为图l所示．它的密J立为 1．899／c一，真空升华温度为1吼心．它刈波 长为500n^的单色光』‘吸收系数为2．5× l妒c_一．对于632．8¨帕光里透明状态．PTCD^ 圈l m融的分子结构 为弱p型半导体导体材料，其术征载流予浓 度为5×10“／c一．利用这种材料，能够采用真空蒸发构方法在无机半导体材科p—si们表llii形成同 壁异质结势垒．从而具有肖特基整流特性．选手l唷机／无机tu【)势垒二搬管．在外JJIl{l{岛的反I；-I偏 压下，其暗电灌很小(约20uA／日2)． 本文是我们已经翻鲁并经化学提纯及真空升华提纯了PTcD^．，F对它的结构表征及光学性质详细 机半导体异质结(ouIJ)的电流一电压特性铡试分析的基础上，研究试：I；l出了高效光电探铡器LT【)， I代阻／P—Si／In． 及l∞9．％0a1处的吸收峰共同构成丁酸酐吸收．|E的特征峰．通过进～步的抒析．’晓州样品A仃限卅 柏性质。而rL分予巾禽彳『芳环特构．将PTcl)^样品溶r氘代：叩旗瓶触巾，坷过川一4仆0喇心戢J0搬 两种化学环境中的氢(¨)原子数目相等，表明氢原予只能位于芳环上．经x劓线行j刺潜帕测试分折 衷啊，P咖^属于单斜品系，它的沉积薄膜_琏择优取向的． 圈2是PTc队的吸收光潜．在波长560一4lom存在着吸收边，它位于可见光潜遁的蓝绿也区． i。o。0 图2’PrcD^的可见光吸收潜 3．1TQ，PT∞^／P—s i光探漏■的研制及其特性的测试 3．1光电探测器的研制 电阻率为loQ∞(100)面的p—si单晶片作为该有机／无机半导体光电探渊器的¨底．经珊浩处理 氧化其表面经lIF腐蚀去除表面机械损伤层及进一步减少表面态密度后，在氮(H2)气保护下报快进 入真空蒸发室．在囊空度为101PB时，p—Si背面蒸发h，在氢气保护下经台金化后．在典正黼燕 J‘9)．经光刻光镀嘶窗 i 159．然后在6．7×10．3Pa下：在有机层PTcDA面上穗射ITo膜(II屿：slIo=9 口．制作上、下电板，即可形成上述结构的光电探铡瑟． ； 3．2特性测试分析【舢 j k 圈3是这种有机／无机光电探测器的正反向电流一电压特性．在外加正向偏压h小于6V时，正