金催化多孔结构黑硅太阳电池的研究制备.pdfVIP

（HAuCl ）溶液中，溶液中为了能够避免溶液的团 3 测试结果及讨论 3 聚失效而加入了一定量的聚乙烯亚胺（PEI），其使 3.1 黑硅表面结构测试结果 用量为HAuCl3 的4 倍（图1 所示中的第2 步）。 如图2 所示为黑硅表面结构形貌SEM 测试结果， 将表面沉积有纳米金颗粒的衬底放置在腐蚀溶 从正面图（图2 (a) ）看出，在表面均匀布满了孔， 液中进行多孔黑硅表面腐蚀，腐蚀溶液由氢氟酸（HF） 而断面测试可看出，孔径随着腐蚀深度的增加而逐 溶液、双氧水（H O ）及去离子水（DI-H O ）混合 渐减小，形成了锥状结构。正是这些深孔的形成使 2 2 2 而成：HF:H O :H O=1:5:10，此为图1 中的第3 步。 得黑硅表面具有很好的陷光效果，具有很低的表面 2 2 2 至此，即已完成了多孔黑硅表面结构的制备（第 反射率。不同腐蚀时间及 Au 沉积时间对于黑硅表 1 步-第3 步），黑硅的整个制备过程中，无须加热， 面孔径及孔深的大小都会形成影响，如图2 所示， 也不用进行制冷，室温下进行金沉积及腐蚀即可。 随着腐蚀时间的延长，黑硅表面结构的孔径及孔深 2.2 黑硅太阳电池的制备 增大，如图 2 （c ）、（d ）所示。同时，腐蚀时间的 对于太阳电池来说，贵金属金（Au ）在Si 衬底 延长对黑硅结构的表面反射也有影响，如图3 所示， 中为深能级杂质，在禁带中激发了两个能级，是有 可见过长的腐蚀时间不仅不会有效降低表面反射， 效的复合中心，能够有效降低少子寿命，降低电池 反而会导致表面反射率的提高。这可能是由于长时 性能，从而降低了太阳电池的转换效率。所以在制 间的腐蚀，表面孔径增大，降低了有效的陷光效果。 备成为电池之前，需要清洗，以充分去除Au 元素对 电池性能的不利影响。 (a) 2.2.1 黑硅衬底的清洗 首先采用碘（I ）溶液对Au 进行充分清洗，溶 2 液配制为I : NH I : H O = 1 : 4 : 40 ，在80 oC 条件下 2 4 2 将多孔黑硅表面衬底煮约5 min 后采用DI-H O 进行 2 充分冲洗。为了确保Au 元素的完全去除，同时保证 在高温扩散过程中不会造成对扩散炉的污染，多孔 黑硅表面衬底后续还采用王水及 SC Ⅱ溶液进行充 分清洗。其中，每次充分清洗完成后采用DI-H O 充 2 分清洗。 2.2.2 黑硅太阳电池制备 采用常规太阳电池制备方式进行黑硅电池制备， (b) 即扩散、二次清洗以去除衬底表面形成的磷硅玻璃 （PSG ）、PECVD 在前表面沉积SiN 减反射钝化膜、 x 丝网印刷前后电极及背场、烧结后测试分选。其中， 为了研究不同程度的磷扩散掺杂，在扩散过程中采 用了不同的温度，形成不同的扩散方阻，根据电池 性能测试研究不同掺杂程度黑硅性能的变化。 反射率，但是多孔的表面结构同时也增大了有效比 (c) 表面积，提高了载流子的有效复合率，从而降低了 太阳电池的开路电压。另一个原因在于，多孔的