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氮化硅薄膜的表面平整度特性 陶孟仙’ 陈俊芳” 任兆杏… +佛山大学 物理系 ··华南师范大学物理系 ”·中国科学院等离子体物理研究所 摘 要 本文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的套问．分布；由 PECVD制备的氮化硅薄膜是一种表面均匀平按度好的薄膜． 1．引言 目前，低温等离子体技术在材料科学、半导体微电子学和光电子学等领域 的研究和加工中起到了重要的作用。“’。。‘51电子回旋共振等离子体技术首先是在 控制核聚变研究中发展起来的。最初它被用于磁镜实验装置产生和加热等离子 · 体，后来又被发展为托卡马克、串级磁镜等聚变装置实验中进行等离子体加热的 重要手段之一，即电子回旋共振加热。目前，这一技术被移植到各种低气压低温 等离子体的应用中。电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR—PECVD)就 是这一技术应用的一个方面。由于ECR等离子体是磁控无极放电，运行气压低， 具有电离度高．等离子体密度高、无高能离子、大面积均匀等特性，因而能在低 温乃至室温下沉积制备各种优质均匀致密的薄膜．”’。“” 本文利用ECR-PECVD在低沉积温度下制备了Si 3N．薄膜，利用Telystep— Hobbson轮廓仪对Si，虬薄膜的表面特性进行了测试分析。 2．实验方法 2．I实验装置和样品的制备 图1为制备si，n薄膜的ECR-PECVD装置。主要由真空系统、配气系统、微 波系统、励磁系统、反应室和基片加热系统以及静电单探针系统组成．真空系统 由涡轮分子泵和机械泵组成；配气系统由Si乩、M气源及双路流量计纽成；微 波系统由600W功率可调的微波源和微波输入匹配耦合器组成；励磁系统由励磁 2×1 线圈和1．3x75-1．5x75k直流电源组成；反应室由m1Ocm的共振区和 m14．5x70cm反应区的不锈钢圆筒两部分组成；基片放置在轴向可移动，温度可 调节的基片架上。 图2给出了当运行气压8x10。Pa，微波功率240W时，由偏心静电单探针 诊断获得等离子体反应室内的等离子体密度的空闻分布．从圉2中可见，在反应 室轴线z=70cm的共振区处，径向R=Ocm的中心位置等离子体密度为 8．2xl 0”cm一．从微波窗口向抽气口方向过渡时，等离子体密度减小；在轴线位置 2 z 50cm处，径向从R=Ocm到R；6cm的范围内等离子体密度很均匀，平均约为 1．79x1 2cm的范围 0,oCfll～。这说明在轴线Z=5Ocm处的等离子体密度在直径由=1 内分布均匀，有利于制备表面均匀的各种薄膜。 0 在ECR—PECVD装置上制备Si，N．薄膜的主要工艺过程如下：本底真空2x1 。Pa，工作气压8×10～Pa，沉积温度分别为40℃，200℃，360℃时，于反 274 薄膜样品。 2．2样品的测量 行了测试分析。 3．结果与讨论 可以利用下列各量来表征：微观高度算术平均值偏差R。、微观高度均方偏差R。、 最高和最低障尖与峰谷差R，，微观不平整度平均间距s．和两峰尖间距s。其中R。、 R。、s．和s可以用下列方式给出： dx (1) R．=1／l』lY(x)I J (2) 耻。、／1／1