氮气氛保护下直拉硅单晶的直径控制.pdfVIP

刊孑(，弘．／2夕．，了 氮气氛保护下直拉硅单晶的直径控制 _，，‘●___一_。。’’’--一 z乞 沈益军 赵松宏 肖世豪 杨光宇 (浙江大学半导体厂，杭州310027) 摘要在大直径硅单晶生长中，直径控制是十分关键的，它直接影响单晶的 成品率。影响直径控制好坏的因素很多，而保护气氛的种类、流量和压力等是影响 直径控制的重要因素。采用浙江大学的专利工艺——减压氮保护硅单晶生长，不但 对硅片的机械性能、电学性能有极大的提高，而且对单晶的直径控制亦有利。本文 正是研究了这方面的机理。 ． 1引育 随着半导体行业的蓬勃发展，大直径硅 等：一(挚严(￡一To) (1) 片逐渐成为主流产品。而影响大直径硅单晶 式中h；￡／毛，零t晶体与环境的热交换 成品率的诸多因素中，除了单晶内部质量的 系数，后晶体的热传导系数，r晶体的半径。 控制，如氧、碳、电阻率、均匀性、旋涡以 此关系已为So“2】的实验所证实，实 及OSF等以外，随着单晶直径的不断增大， 验测量还显示出在固液界面附近，aT／aZ为 直径控制亦越来越突出它对成品率的影响。 常数。这一点与Adzund和KobayashiE3】有关 首先，需要直径稳定，单晶圆，以减少滚圆 坩埚壁裸露深度对温场的影响的计算相一 的损失及劳动强度；其次。要求直径控制过 致。 程平稳，即拉速起伏必须小，以避免过大的 根据同液界面处能量守恒，即由液体流 拉速起伏对单晶的内在质量产生影响。决定 向固体的热量加上结晶放出的热量等于由晶 直径控制是否理想的直接因素是单晶炉的设 体流开固液界面的热量，简化为一维模型： 计状况，包括热场配置和生长控制过程的设 ，Vp．L=K誓一KI吾 (2) 计，及控制参数的调整。但另一方面，在大 方程(2)中，￡为结晶潜热，晶体的温度 直径硅单晶生长过程中，工艺条件对直径控 梯度aTi／aZ可由方程(1)得出，且L=k， 制的影响亦越来越突出。在生产过程中，我 熔体中的温度梯度aTl／aZ可由引入温度边 们发现，拉晶保护气氛的种类、压力、流量 界层口T得 等都直接影响单晶的直径控制。本文正是研 究了这些影响的机理，以便为更好地进行大 等=(Tn—L)锄 (3) 直径单晶生长控制提供参考依据。 n为熔体的平均温度· 2理论分析 以(1)，(3)代入(2)得： 根据关于晶体温场的分析【J】，晶体轴向 温度梯度a∥az，与温度r之间成线性关 毛(气一％)(竽)m=J}I(TI．乙)／crI+ 系： vM, (4) 即 ·73· 用D代替r，且h=E／k，得： 7 一