电弧电流在多弧离子镀膜过程中的作用.pdfVIP

漉向另一蔫．粟罨一毫方；y-囊芍哑汪约丈小和爱皇。控割电流为零对．环行磁场分 量为霉。j二矗无哆司迄碧，：jjr控i!黾漉，筻：萼毛五J芏阴芒受上赣运当方向流动。控 韵电漉不影响电五的===“；，迭绅控；4号丑纵商移习方兰的优点是，可以产生比仅利 用电弧电流产生约巧型茁场号量强度更大。这笙等沿阴投表面电五移动速度更瓷， 瑷少液流产生。即使兰毫曲：：电流，哥豹强纵商磁场分量清况下，也能保汪电瓶沿 阴极表面移动。 4几点评论 真空电弧气帽沉掺技末钓空用发展与设昌的置进窘不可分的。核心的问题是进 一步掌握真空电弧的婆土纫詈i≈}{}．杀『!考老果焉百i?的技术方案实现对屯甄的更有 效的控制。 萃文介绍的第一焉亏刊．t是垫≯对真空电五畸性鞍j采＼的了解，根据应用目 际，结合材社科学的翟：2税安袋，提出整姿的工乏， 本支介划的第二蔫下列之要是利用了真空rai：妁特点，增加辅助装置，主苎一步 扩展应用。 动，基础是噩对真空电：：约勃套棍律荷引是其与茁场的作用有全面的认识。然后考 惠果用切实可行的方法亲宴疆H电弧的有效控剖， 由于目前情况下，7i；‘{fi毫单位；堂遍经费下三．开疆对设备筋改进昕究困难傻 大。尽可能垒面掌握国}i外按t的品折笺展，博了了夏的资金|殳入到关洼点上．更显 得尤为重要。 参考文献 NKVladimlr,MethodL)r}二Ⅱd=1li：、te【alsLnac：s”us— 【Il V 12lJorg，”E；cc计icArc AnodrUS·Ps5294322 Coall：：!Do。：having肌^ddltlo∞t1：二tl髓：10n P w ML：modtbr a8tlb52r20 [3j RIchard,ApparatusⅡdCoating using PS 5269898． 电弧电流在多弧离子镀膜过程中的作用 0i3 中国兵器工业新二itj#厂研冗所(二L京l08)是玉广陈竭砦 摘要 奉文论述了电五鬯．t对；：j，与了_：妥疆屡的硬t蔓~罩三￡I要其外观形韫为嚣硐，若连一步 圈进了’电豇}皂沉芷实筇应用中习·}喝，说明了铵’¨不瑚j0毙∞!苫芷，意迸拦不司!：宅沉妁重要性。 芙键词电弧电漉碗坦戎厚础麓艘 1．前言 在多甄离子设膜过程【_=．嘎i二电流的调肖j豆盈一毁比较小，因而琨容易彼人忽 规它的变化，对膜层质量∞影．：i，经过H学麓试验j正明，在实际应用中尽管电弧电流 的调节范围相对较卒，但乞．n至。￡琮I{鬯弧的持续性有影响外，还对警是的硬度、 厚度及外观形貌和膜层的色泽酃有明显的影响。 上 2．试验过程 图1是右次试验用装置及试片悬 挂位置示意图，其审1为弧源1，2 为试片j(背对弧源)，3为试片2(正 对弧源)，4为真空室。5为氦气、氩 气进口，6为弧源2，7是转架，8 是抽气口。试片材车斗为W18Cr4V．尺 寸大小为10×lO平方毫米．厚度2 毫米．正面光洁度V9以上。 本次试验可改变的工艺参数有A 轰击时闾、B轰击偏压、C镀膜偏压、 D出炉时间、F氲气分眶、O氨气分压、 H转速、N试片形状、摆放位置和摆放 图1 实验装置及试片悬挂示意图 方向(N1正对弧源、N2背对甄源)、M鬯弧电流(从小到丈Mj、M2、M3)等。 而这些工艺参数的数据选定和搭配是根据质量工程学原理并结台实际情况确定 的。每次试验放置正、背对弧源的试片备一片，共进行54次试验井制得】08片试片。 3试验及分析 31试验数据 对通过上述试验制得的】∞片试片用5-60型轮廓仪测量膜层厚度，测量精度为 01岸m，用11MT-3型显微硬度仪测量膜层硬度。其测量结果见表l膜厚的原始数据 及平均值表及表2硬度的原始数据及平均值表。 表1膜厚的原始数据及其平均埴表 ABCDEFG MI M： M3 N