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S结论 如果一个理想的硅单晶片的电阻率非常均匀
通过实验，此方法基本上是可行的。这 而没有波动，此测试方法就不适用，这是此
种方法既克服了现行设备小区域测试的困 测试方法的弊端。 ·
难，又解决了因接触测试对硅单晶表面的损 参考文献 ‘
伤问题，是一种比较理想的硅单晶电阻率分 江囊生．革尊徉材童■试． ： 7。
布的测试方法。但是，由于此方法的工作原 -玉书：‘革掌概龟手学：．、；_叠；·{o‘j：一jj。j
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摘 要 本文介绍了硅薄片少手寿命由残的计算机实时测量系统。就其|基奉蘑强‘i。
理、系统设计、可行挂等方面进行了+分析。本旁藩的建砑芦藤建孽爵争辫摹蕞露花
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寿命测量方面的一个应用实饲’。 ，奠釜，÷∞韩：．，：oI”
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1实时测量的曩论依据 _其次．方根●蹙鼍蕾绞傣矗蠢、o叠图线(h
少子寿命是半导体材料的重要参数，当 为衰退曲线中时问t所对应的■度)，巅膏
样品比较薄，其厚度几可与少子扩散长度l
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