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提高功率HBT可靠性技术研究 ．焦智贤禁克理王全树曾庆明东熠 敖金平赵永林李献杰郭建魁马海涛 专用集成电路国家级重点实验室 电子工业部第十三研究所石家庄市(050051) 摘要：功率}町的可靠性是制约器件实用化的关键困索之一．本文对影响}阱器件可靠性的一些机理进 行了分析，开展了相关工艺的研究，并制作了性能良好的器件样品。 一、引言 异质结双极晶体管是近十几年来迅速发展起来的一种化舍物半导体双极器件，在微波 毫米波的各个领域的应用臼益引起人们的重视，而在过去几年发展最快的便是在功率领域 的应用。现代雷达、通讯、电子战等设备性能的提高，工作范围的扩展主要依赖于器件输 出功率的提高，所以人们～直在寻求更高功率的晶体管，而且这种寻求在未来的十年问将 一直保持下去。这样就给任一新的能够比现有器件提供更高功率的器件以应用的机会。HBT 恰好应允了这种需求。此外功率HBT在商用微波系统中亦有广泛的应用市场。 随着对材料和器件研究的日盏深入，如何提高器件的可靠性便成了实现器件实用化所 要解决的首要问题，因为每一新型器件在应用于微波领域之前都要经过可靠性的考核。因 此HST的失效机理和可靠性问题已经引起人们的重视和研究。从常规上来讲，GaAs的热导 率比较低，散热是一个大问题，这往往可以通过背面减薄，制作热沉等技术实现。由于在 实际器件制作中，我们经常遇到器件在经过一存储时间后，器件性能明显衰退的问题，为 此。我们对可能引起器件失效的其它一些机理进行了分析，如表面问题，镇流电阻问题等， 对提高器件可靠性的相关工艺技术进行了研究，并制作了性能样品。 二、提高功率HBT可靠性技术研究 1、表面保护和钝化技术研究 对GaAs H盯来说，GaAs表面电特性和化学特性的好坏将直接关系到器件可靠性的改 善，GaAs材料在室温下，在空气中表面极容易氧化。而在常规器件制作过程中，由于G“s 基区是裸露的，没有钝化层，这样就造成基区表面的氧化，产生寄生效应，使表面态密度 增高，表面复合速度较大，引起器件性能退化，成为影响HBT器件长期稳定性的主要原因。 为解决这一问题，我们采用表面钝化技术来改善GsAs的表面特性，即在其表面形成 稳定致密的薄膜．以有效抑制寄生效应。以往人们多采用硫化物钝化技术，各种实验数据 表明其钝化效果不稳定。我们采用耗尽的薄层钝化技术，即在发射极台面周围留一外延发 165 射区的薄层作保护层，大大减弱表面复合，从而起到表面保护和钝化作用。图1即该工艺 同所有的双极器件一样，}略T在大功率应用时也会出现比较严重的问题，因为在电流 和结温之闻，存在者正反馈。这种电和热的正反馈将不可避免地引起器件热的不稳定性和 器件失效，对AIGaAs HBT，在C波段，x波段及更高波段应用中，发射极镇流电阻的设计 需要认真对待，镇流电阻设计得太大，将对功率增益产生严重的不良影响：太小，则对防 州 …2箸姓等 Ie口+昔 U p。击学 。一学l工con。。。ntaf st8，10口J M8E系统Be掺杂基区会引起晶格内受主原子的移动，从而影响器件的性能。一般表现 的复合有关，这些复合释放的能量被转换成振动能量，以产生G“s的间隙，从而引起失 碳掺杂基区能够克服这个问题，因为碳一般在晶格中占据As位。大量文献表明掺碳 比掺Be稳定得多。不过如果间隙杂质浓度低，zn或Be还是可以用于GaAsHBT丈电流密 之下具有很强的竟争优势。这也是后者在过去几年间发展很快的原因之一， 欧姆接触的稳定性：H盯是一纵向器件，除非欧姆接触比较浅，且热稳定性好，否则器 件的外延层间是很容易短路的。欧姆接触随时间的缓慢衰减，会严重破坏器件的微波性