刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响.pdfVIP

利的均匀性太差，超出导向器的调节范围。 1Bar的压力，状态3要比状态l的刀片偏离 得多。因此，补偿量仍为20v．m时所衙压力5结 论 下降，造成导向器控制能力减弱，这在许多 综上所述，在导向器的使用当中关键是 切片机上都存在这样的问题。分析下来有三 三点：(1)保持导向器的清洁；(2)适当调 方面的原因：第一、因硅屑堵塞导向器喷口 整补偿量；(3)及时控制刀片刃口的情况。 引起；第二、刀片切割一段时间后其弹性系 通过上述途径的调整，能够更好地控制刀片 数K变小；第三、刀片刃口锋利程度与锋 的形态，从而切出高质量的硅片。 7“ p 刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响 翎和配．1-20．广 粉刺忍1 唐雪林 顾凯峰 姚保纲’t (上海磕材料厂，上海201617) 摘要本文研兜了用SVC,-i8DWC双面擦片机擦跣经-RI狐j王艺清洗后两抛先 片表面。结果表明：经SVC,-18DWC双面擦片机擦洗后抛光片的表面囊粒有明显的 减少，经WlSCR．80测试0100mm的抛光片表明颗粒大予03肿颗粒总教小于10个 ／片，南抛光片表面的部分金属杂质沾污有明显的增加。 1引言 ’ 西100mm、P100、电阻率0．3—50n· 随着大规模集成电路的发展，集成度的 cm的庸蚀片j， 不断提高，线宽莳不断缩小。’对硅片的质量 2．2硅片抛光过程：-， ‘ 要求也越来越高。。它不仅赛求提裔单嚣的内 硅片在Cybeq：38的抛光机经过粗抛和精 在质量，而且对抛光片的表面质量也提出更 抛加工工艺。 ． ．， 高的要求，如对抛光片表面的金属杂质箔污 2．3硅单晶抛光片清洗 和颗粒有极其严格的要求和控制一。因为抛光 用改进的RCA工艺(美国霄达公司发 片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重髯响器 明的清洗)对经过抛光后的硅片进行清洗； 件的质量和成’品率，如生产64兆线宽为 0．35／J．m的DRAM器件，要求抛光片表面的 H20—H202：HCI：H20一SP／D，经清洗 重金属杂质沾污全部小于5×10matoms／cm2，甩干后的抛光片任意抽取20片，然后在 碱R．∞仪器上测试抛光片表面的颗粒大 抛光片表面犬于．0．2v．m的‘颗粒总数小于20 个／片。因此了解抛光片表面经SVC,--18DWC小、数量，用TXRF测试硅片表面重金属杂 双面擦片机刷洗后对其表面的影响，对提高 质诂污水平。 抛光片表面质量具有重要的意义。 2．4硅单晶抛光片的刷洗 2试验过程 硅片经改进的RCA工艺清洗甩干后， 2．1样品制作 用SVG-18DWC双面擦片机刷洗硅片表面， ·104· 然后任意抽取20片测试其表面颗粒多少、 (1)经RCA工艺清洗甩干后的抛光片， 大小以及表面重金属杂质粘污。 在刷片前后其表面颗粒大小、数量的比较， ‘ 3试验的结果和讨论 见表1、表2和图1、图2。 3．1硅片表面颗粒的测试结果和讨论