双极晶体管有源区温度分布对结温测量的影响.pdfVIP

双极晶体管有源区温度分布对结温测量的影响 杨志伟苗庆海张兴华张德骏满昌峰王家俭马洪磊 00) (山东大学济南2501 摘要：本文通过分析双极晶体管有源区温度分布不均匀时用△Vn法测得的结温随测 量电流的变化关系，提出了一种快速判断双极晶体管有源区温度分布均匀性的方法． 关键词：双极晶体管、温度分布、△V“法 O引言 双极型晶体管发射结电流具有正温度系数，当其工作时由于某种因素的诱导，可以 引起芯片局部温度的升高或电流的集中，从而引发热电正反馈，最终有可能在器件有源 区内出现稳定或不稳定热斑。热斑的形成将引起器件参数的蜕化甚至诱发二次击穿。因 而在早期筛选中剔除具有热不稳定性隐患的器件对于提高整批器件的可靠性至关重要 ¨I。目前，测量器件芯片温度分布最常用的方法是红外热像法。然而红外热像设备结构 复杂、价格昂贵且测量速度慢，对于已封装的器件需要开封，很难用于对每个器件的测 量【21。因而人们常根据发射结正向电压VBE与结温T．的近似线性关系，用测量VBE来确 定T，，其前提条件是假定芯片有源区温度分布均匀pJ。然而这个条件有时不成立的。据 文献报导：功率晶体管工作时局部热斑的温度可以比其它区域高几十度乃至上百度，接 近二次击穿时热斑处的温度可达一千多度ll^。J。 1视在温度及其与温量电流的关系 设某晶体管有源区温度分布不均匀，根据肖克莱(Shockley)方程： J。(T，)：BT。。e。p!!!!!!；：；：!生生(1)， KI J 式中J。f砧为流过芯片有源区不同温度点的测量电流密度，B为常数，^一般取3。 容易理解 J。s (2)。 J．。(Ti。。)s J。(Ti。肚) ‘为流过整个芯片有源区的平均测量电流密度，T，。。和TI晌分别对应有源区最高温度 和最低温度。引入变量Tm，使 Tlml。≤TmsTJm蹦 (3)， 对于任何i总能找到一个对应的T。，满足 x ‘(Tm)：BTm exp型裂㈣ ^Im 这在数学上是容易理解的。由(4)式看出T。表示芯片有源区内某一点的温度(不考虑芯片 纵向温度分布)，该点的电流密度等丁．流经整个芯片有源瓯的平均电流密度。(4)式两边乘 以芯片有源区面积s，则有 (5)。 l。(T。)。Bsl’。^e。p!!二{：；：：：．!!§巳三 h-m 取参考温度T。，保证在T。状态结温分布是均匀的(一般取器州：存贮温度，如室温)。91|J “la)：‘：瞩。。。p型警型(6)。 ^-a (6)式两边乘以芯片有源区面积S可得 I。(L)；BsT。x (7)。 exp型堕二kT型 (5)式和(7)式联立。令Im(Ta)=l。(T。)，这是容易做到的。最后可得 VBE(k)z vgo一[vgo—VBE(L)1挚(8)。 ^ 即v。(T-)和T-成近似的线性关系。 至此我们可以看出，当晶体管有源区温度分布不均匀时用△V斑法靛j的温度是Tm ， 而不是Tj，为区别于器件结温Tj，我们把Tm称作视在温度。图1给出视f．温度的物理意 义示意图。 { 一 g } ●