X波段高功率微带四端环行器实验的研究.pdfVIP

X波段高功率微带四端环行器 实 验 研 究 ● 郑敦祥 王全弟 曾晓军 工作茧位： 空军第一研究斫 普刈森待公司 通讯地址： ：o京920j信硝l：U0076J北言八大处高辑技哥发匿享海科技楼(!ee04 摘要萃文是在总结改进和实验磺充作为x波段R／T取工嚣的主要部畔——徽带四瑞环行器为基_i± 土，分析其在高峰笪功率咋董下声曼非线性慧受堂原墓和影帕．提出改连器件撇踱胜能的要卢．靖 一 出x踱段高峰值功塞工，七的徽带四蝙环行器的实验结果． 1引言 近年来．随者微波铁氧体技术的发展及其器件的广泛应用，军用机簸电子设备．尤其是 机载火控雷达、电子对抗、通讯和军吊微波等系统的研制与改进均离不开微被铁氧蚀器件， 对其需求一直在稳步增长。当今．在实现系统小型化、集成化要求时碰刘最突出的一个问题， 就是如何解决微波集成前端收一发(以下简称为R／T)取工器的微带四端环行器承受脉冲功 率容量的技术难点．对工作予高峰值功率条件下的波导或同轴四端环行嚣的低插损、高隔离 等要求己大有改善了。如我部应用的航天部23所研制的小型化同轴四端环行器，x波段，脉 冲功率≥400瓦；C波段，脉冲功率≥2¨．其高功率状态下的插损已达到≤0．8。由于机 载宅子设备装机条件受到了空间尺寸的严格限制．在满足系统功能的同时，8／T双工器微带 四端环行器应具有高峰僮功率工作状态的低插损、高隔离、高司靠等性能和电路结构小型化、 集成化特点。几年来．我们两个直位一起开展我部有关机载电子系统R／T双工器微带四端环 行器r其电路模型示于图1)高功率工作特性基础上，经过反复实验。改进研制的x波段高 功率R／T取工器微带四端环行器己基本达到使用要求，对于实现小型化、集成化的单元体结 构微波前端具有重要作用。 2组成与基本分析 2．1组成 菜机戴电子系统微波静端8／T双工器由微波集成四瑞环行器——一定向耦合器组件、介质 腔预选器和模块限幅器组成，如图9所示． 芍 ●r；L两协霁 ，斟孰一。 一誉一 王挂潮 圈2 2．2环行器的高功率微波特性 从图2可见，R／T双工器高功率性能主要决定于微波集成四端环行器的高峰值功率承受 能力．因此，其高功率承受能力应是包括平均功率和脉冲功率两个方面。但更主要是峰值功 率(即脉冲功率)。过去生产厂家由于受高脉冲功率发射源的条件限制．一般只作连续波工 作澳《试，而按工作占空比来估算其承受峰值功率容量，以此来判断其工作性能．实际上，在 系统高峰值功率工作状态下，超过其承受功率门限值，器件所呈现的微波特性已不同，产生 了非线性效应，造成器件的高正向传输损耗，甚至出现打火的严重现象，不能正常工作，我 们在改进研究中出现过多次．如在x波段，工作大于1w的连续波功率，测出其正向传输损耗 传输损耗却增大到3．8～4．OdB．与此同时，反向隔离也下降许多。经分析和测试验证得出， 微带四端环行嚣的承受连续波功率容量主妻决定于器件本身的插授，最大允许温升和基片材 料的热导效率等因素。而承受脉冲功率容量主要由它所呈现高功率非线性效应特性所决定 的．它直接影响到器件的高功率状态下的正向传输损耗和反向隔离等主要性能．因此，如何 提高徽带四端环行器的高峰值功率门限值和降低高峰值功率下微带环行器的损耗值，提高其 反向隔离就成为工程设计关注的一个焦点． 从文献[1]、[2]的分析得到启示，决定微带四端环行器承受峰值功率能力因素．主要是 铁氧体基片材料的介质电摄和磁损等的低功率损耗和其在高峰值功率作用下与临界磁场有 关的高功率门限值．在力求减少低功率损耗基础上，通过优化设计，以达到抑制铁氧体基片 材料在高峰值功率作用下产生自旋波，它是导致器件的高峰值功率非线性效应的主要原因， 其后果将破坏器件的微波性能。 微带四端环行器的临界功率P，。与材料临界磁场h。、微带线宽度W成正比，由文献[2] 给出估算近似式：