300mm晶圆化学机械抛光流体润滑行为研究.pdfVIP

A 喇I论文摘要 论文名称：300ram晶圆化学机械抛光流体润滑行为研究 论文作者：清华大学／赵德文 指导教师：路新春 研究领域：微纳制造 表面／界面微纳摩擦学理论与应用 化学机械抛光 (CMP)是集成电路制造的关键 体压力可承载10％～30％的抛光下压力，系统研究了 工艺之一。随着晶圆尺寸增加至300mm，对CMP全 CMP基础工艺参数对抛光过程晶圆表面流体压力分 局平坦化效果的要求 日益提高。目前人们对CMP机 布的影响规律 ，所取得的结论可为CMPT艺优化提 理的认识多集中在晶圆表面的材料去除机理 ，而对 供重要参考依据。 全局平坦化机理的研究相对欠缺。本文在CMP装备 (3)研究了300ram晶圆在抛光动态过程的变形 研发和在线测量系统研制的基础上 ，以流体作用为 特征，发现晶圆在均匀下压力作用下会发生10 m量 切入点，对300mm晶圆CMP过程抛光接触面的流体 级的微小凸变形，探讨了抛光下压力及分区压力配置 润滑行为和晶圆状态进行系统的实验研究，为工业 对晶圆变形和晶圆表面流体压力分布的影响规律，分 CMP装备晶圆平坦化机理研究奠定基础。主要研究 析了晶圆变形对流体压力分布的影响机理，研究结果 成果如下： 为CMP抛光头分区压力参数设置和调整提供了重要 (1)针对300mm晶圆CMP装备研制了直驱抛光 依据 。 盘系统，并 自主研发了一套可在线监测抛光动态过 (4)提出了晶圆姿态与流体准膜厚的概念及相 程晶圆表面流体压力分布、晶圆变形、晶圆姿态 以 应的在线测量方法，发现了抛光过程晶圆相对于抛光 及抛光接触面流体准膜厚的集成在线测量系统，建 垫存在量级在lO-5～10．4度的俯仰角与侧倾角以及l4 立了抛光接触面过程参量的在线检测技术，为抛光 ～ 2O m流体膜厚的现象 ，且抛光工艺参数对晶圆俯 过程的认识和抛光机理的研究提供了技术和实验手 仰角的影响规律与流体压力相应规律一致，从而揭示 段。 了晶圆姿态对流体动压润滑的重要作用。 (2)利用所研发的在线测量系统，对工业CMP 论文部分技术成果已经成功应用于盛美半导体 过程晶圆表面流体压力分布及其承载特性进行了深 (上海)有限公司的无应力抛光集成系统、深圳l市力 入的实验研究，发现了流体压力分布以出口区正压 合材料有限公司的200／300ram兼容式中试抛光机中， 为主、入 口区负压为辅的新特性 ，定量研究表明流 具有良好的应用前景。 · 插2·