ZnO材料电子结构的模拟计算与特性分析.pdfVIP

VA 翻耱 高【新技术产业发展】 ZnO材料 电子结构的模拟计算与特性分析 朱 娴 (南京航空航天大学 金城学院实验中心 江苏 南京 211156) 摘 要： 方 向是通过密度泛函理论研究新材料的电子结构性质 ，Y：~ZnO材料进行第一性原理研究，研究涉及 的材料物性包括几何构型、电子结构特性等方面。 所使用 的是线性化缀加平面波方法 的基本理论 (LAPW)，其中主要 内容包括LAPw方法的简要理论和所使用~WIEN2K软件的介绍 。具体的描述对zn0材料 的电子结构 的计算与分析 ，并与半导体的典型结构特性相 比较 ，得 出结论 。 关键词 ： ZnO； 电子结构 ：密度泛 函；LAPW 中图分类号：04 文献标识码 ：A 文章编号：1671--7597(2011)0310026--02 0引言 描述 。 目前，对复合物理材料的研究仍然是物理学中的重要课题，这就需要 以下列出本论文中所使用的ZnO晶体的结构参数 (结构图如图1) 我们对于纯材料时的基本电子结构 以及其物理和化学性质有准确的把握， 空间群结构：186P63mc (B4结构) 这样才能更精确的分析材料复合后，总体电子结构所发生的变化，从而得 晶格常数：a-3．24959b=3．24959 c-5 出其物理化学性质和作用的改变。 单位 ：A ： ：90。y：120o ZnO通常存在于红锌矿的矿物质 中，它绝大部分是不能溶解于水的， 各原子在空问中所处的位置： 但是可以溶于酸和碱。 zn原子：原子序数 3O．O；RMT：1．97 在薄膜状态下，ZnO表现出压电效应，这种薄模可以通过阴极真空喷 第一原子位置：x=0．33333：y=0．666666：z=0．5 镀的沉积作用产生．锌的氧化物 同样也是发光的和感光的材料 。 第二原子位置：x=0．66666：y-0．333333：z=0 2nO的能带结构拥有 一段奥林匹克般的历史，从1969年开始，每隔四 0原子：原子序数 8．0：RMT：1．97 年都会出现一个关 于ZnO的研 究项 目。Rossler在 1969年利用Korringa— 第一原子位置：x=0．33333：y=O．666666：z=O．8819 Kohn—Rostoker计算出了关于ZnO的能带结构。1973年Bloom和Ortenburger 第二原子位置 ：x=O6667；y-0．33333：z=O．3819 通过实验得到了更准确的能带结构，1977年Chelikowsky发表了第一篇 自 在计算中取1000个k状态进行 自洽计算 洽计算得出能带结构的文章 [4]。而在本文中，将使用WIEN2k软件，采用 密度泛函的线性化缀加平面波的方法计算其能带结构，从而得出材料的电 子结构特性。 ZnO材料 目前的典型应用有： 1)防止电压过大的变阻器，用于手机之类的设备中； 2)绘画中的色素，中国画中的 白色是建立在锌的氧化物基础上的特 殊的白色色素； 3)用于陶瓷釉料的融化，他可 以起防止细裂纹的作用； 4)橡胶制品的填充物； 5)纸制品的外包装； 图1 ZnO的结构图 6)防晒霜和遮光剂用于防止太阳照射 ，因为锌的氧化物具有吸收紫 从ZnO的晶体结构可以看出，他是是典型的对称四面体，每一个晶胞 外线的能力。 包含两个Zn~[H离子和两个0阴离子。整个晶体可以看成是沿着C轴依次排列 1基本理论及计算方法 的双层0一Zn粒子群 (例如：沿O001