PtSi红外焦平面探测器芯片漏电分析.pdfVIP

二、试验及结果 对存在的问题初步了解之后，我们对二十个成品进行了分析，这二十只样品处在同 一个园片上。我们在实验室进行静态参数复测时，发现有些样品与提供的数据有差异，原 来合格的样品在复测时发现了漏电流。 首先，我们利用光辐射显微镜分析了失效样品，未发现有明显的发光现象．由此我们 推断漏电是由于电阻性漏电原因造成的；测试时的电流、电压特性也支持了这个观点。 我们对样品进行了液晶分析，详细过程见文献Ⅲ。通过分析，我们发现金属光刻缺陷 是造成漏电流的原因；另外几个样品漏电流变化的原因是布线区划伤，造成金属引线互连， 导致漏电。用激光切割机割除这几个样品的金属互连部位，再测试漏电流，我们发现漏电 流己消失。从这个分析来看，各种原因造成的金属互连导致的漏电流较大，一般在20mA 以上。 液晶分析简单易行，但分析该样品时存在缺陷。虽然液晶本身灵敏度很高，可达 O．001。C，但由于外界温度控制精度的跟制，实际上远远达不到这么高的精度。而样品表 面覆盖了一层很厚的钝化层，约6000埃厚的si抖。，热量被分散．仅有少量的热量传递给 液晶。因此。液晶方法只对漏电流较大的敏感．对漏电流铰小的不能实行失效定位：但根 据液晶分析结果，我们认为光刻缺陷较为严重，于是对多晶硅光刻半成品进行分析。我们 分析了第一层多晶硅光刻后的半成品，在显微镜观察中，我们发现芯片上存在较多的光刻 缺陷，而有的光刻缺陷较大，导致多晶硅栅未刻开，如图2所示。 多警n几…n齐词n…n几… ——…———‘；％{目f≈E1tfr。。7。—一’。‘——一一一 f—1『1：．，．『]f]f1n．．一肌一一． N 圈3、CCD时钟转移栅条示意图 光刻缺陷遗成多晶硅互连，能引起多大的满电流，我们进行了计算。如图3所示， 假设多晶硅有N个重复单元，在n个单元处存在一个光刻缺陷，引起两条多晶硅栅互连 等效电路如图4所示，静态参数测试时屯压为10V，多晶硅方 10V R、▲ R、 10V ——————匕==卜^——广—-|===)———一 8、 』R、飞 OV OV ——————亡==卜—J——d===■——～ 图4、多品硅光刻缺陷等效电路图 其电阻 ·17 ‰。318～468×256=85K～120m2 设Io=10V／Ro=90雌～l189IA 则存在多品硅互连时，根据等效电路圈电阻为： R=(n(N—n)m2)Ro 当光刻缺陷落在多晶硅栅条中问时，漏电流最小，为4xlo一360～472斗A左右；当 光刻缺陷落在l／4多品硅栅条时，漏电流为420～550¨A：当光刻缺陷落在1／16多晶硅栅 条时，漏电流约为900“A～1200“A左右。 租看起来，似乎光刻缺陷可造成任意大小的漏电流，但从几率角度来考虑，光刻缺陷 造成0～2mA的漏电流。假设光刻缺陷在芯片上是随机分布，光刻缺陷落导致1,2mA以上 的机率只有1116：但有的光刻缺陷较大，造成三条多晶硅栅条互连，漏电流将是两条互连的 两倍，而且，根据我们分析的半成品，同一芯片上出现两个导致互连的光刻缺陷的机率较大． 因此，我们认为光刻缺陷互连是造成漏电流0～2mA的原因之一。 光刘缺陷不仅造成同层漏电，如图5所示；而且还可能造成层问漏电，如圈6．这个 缺陷是多晶硅下钝化层的缺陷，这种缺陷将造成层间漏电。 总之，通过液晶分析和半成品分析．我们发现光刻及划伤造成的金属布线互连、光 刻缺陷引起的多晶硅时钟栅互连是造成漏电的原因，它能解释0～2mA和20mA以上漏电 流的原因，至于2～20mA漏电流(占了一定的比例)的原因，正在进一步分析中． 三、结论 通过对芯片的统计分析，揭示了芯片漏电规律：通过对芯