受主掺杂对ZnO片式压敏电阻材料性能的影响.pdfVIP

维普资讯 2008年 ·第 4期 技术与研究 中国材料科技与设备 (双月刊) 受主掺杂对 ZnO片式压敏 电阻材料性能的影响 付 明 ，胡敏 (华 中科技大学电子科学与技术系，湖北 武汉 430074) 摘要：研究了一价受主Li对 ZnO片式压敏 电阻材料的电性能和晶界 电参数的影响。材料中添加适量的Li离子，可提 高压敏 电阻的非线性系数、改进器件 的漏 电流特性 。当Li 离子添加量从 0增加至 300mol／ppm 时，晶界势垒高度 B由 0．7eV增加为 0．87eV，晶粒 中载流子浓度 ND由2．2×10 ／m3下降为 8．5×10 ／m。，ZnO 的 电阻率 p 由 1．020,,．cm增加 为 1．98,0,．cm。 关键词：ZnO片式压敏 电阻；受主掺杂；电性能；晶界 电参数 中图分类号 ：TM241．2 文献标识码 ：A O~300mol／ppm，根据配方 中Li的含量不 同，将样 品编号 0 前言 为 L1(Li 0)、L2(Li 50ppm)、L3(Li 100ppm)、L4(Li 200ppm)、L (Li 300ppm)。各种原料按上述配 比称料后再 ZnO压敏电阻具有优 良的非线性伏安特性 、较大 的耐 加 10wt 的硼硅铅玻璃料 。混合粉料经球磨 48h后烘干、 浪涌冲击能力和很高的工作稳定性，在计算机 、通讯设备和 预烧 ，预烧工艺为 700℃，保温 2h。将预烧后 的粉料进行粉 电子仪器仪表等领域得到了广泛应用。随着 电子技术 的 日 碎 、球磨，球磨 24h后烘干 ，加入 7wt 的PVA粘合剂造粒 ， 益发展 ，对叠层片式压敏 电阻的需求量迅速增加 。片式压敏 通过干压成型得到 12×1、5mm 的圆片形生坯 。生坯经烧 电阻具有体积小、压敏 电压低 、通流能力强 以及适合表面贴 结后得到尺寸为 9．6×1．2mm 瓷体 ，烧结工艺为 1190℃， 装技术要求等特点，因此 ，片式压敏 电阻成为近期敏感元件 保温 2h。瓷体两面烧渗 Ag电极，电极尺寸为 ~P7．0mm。用 的研究热点之一[1]。传统 的 ZnO压敏材料为 Zn—Bi系 ，Bi MY-4C型压敏电阻综合参数测试仪测试样 品的压敏场强 在配方 中起压敏效应形成剂和液相烧结助剂 的作用 。片式 E 、漏 电流密度 J 和非线性系数 Ct，Ct由下式计算得 出： 压敏 电阻采用 了类似独石 电容器 的多层结构 ，材料 中的 Bi 1／d—lg(V1A／Vo1A) (1) 易与 内电极材料 中的金属发生反应 ，使器件 的电性能恶化 ， 用 SEM (日本 JCX-733型)测试样 品的平均粒径 。用 因而 ，制备片式压敏 电阻时一般采用非 Bi系材料[2]。研究