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2011年全国半导体光源系统学术年会
器件效率下降。 使用的h和Ga稀贵金属资源，符合半导体
l实验 照明技术的全生命周期的科学评价标准。按
1 1AIInGaN四元合金材料 照目前LED技术的增长速度，发展高Al成
AIInCaN四元合金材料，通过A1CraN-分的紫外AllnCraNⅡ}D材辩及其关键技术，
AIInN同溶和带隙的精细调制，其禁带宽度吸取历史经验，提早研麓、注入知识产权，
覆盖从紫外到红外区域，如图1所示。作为 提高国际竞争力，已经势在必行。
含h合金，不仅可以制备无应变量子阱， 对采用AllnGaN四元合金材料的紫外
避免由应变导致的内建压电场，而且能形成 LED而言，Khaa小组“叫制备出了340mn四
量子点结构而具有更高的发光效率。由于载 元合金紫外LED，20tunxl0009in的条形芯
流子局域佬效应，对于晶体质量不敏感，因 片功率超过lmW。Jeon等人即1以AIInGaN
而可以获得较高的量子效率。通过调节组分， 作为lmm×lmm芯片的有源层，制备出波长
可以得到晶格相匹配的异质结或量子阱结 340rim、内量子效率达10％的大功率芯片，
构．这样就降低或者消除了因晶格失配导致 封装后器件的输出功率可达54．6mW，外量
的压电效应。提高电子和空穴的复合效率， 子效率可达1．45％。Hirayama等人【”在位错
从而提高发光效率。所以AIInGaN／GaN异密度仅有106／cm2，的FIVPEGaN上外延生
质结的载流子浓度更高，更适合做有源层材 长AIInGaNLED结构，发光波长
MQW
料。
定电流下功率接近6mW，外量子效率达
1 1％。目前，AIInGaN在LED器件中的应
用对于提高器件量子效率，抑制大功率LED
电流衰减现象有了明显效果。
尽管不周的研究者都制各出了
AIInGaN，但是所采用的实验参数差异很大，
比如生长温度在750℃～940℃变化，生长压
力差异很大，在76Torr-750To盯范围内变化，
…m】 甚至有的生长参数还互相矛盾．说明目前我
们对于影响AIInCmN网元合金生长的主要
图1GaN基材料禁带宽度与晶格常数的关 因素和作用机制还不清楚。对于AIInGaN薄
系 膜光、电性质的研究还处于初始阶段，制约
1 了器件的发展。因此在AIInGaN生长过程中
FigureRelafionslfipbetweenLattice
constantandBaadgapeae￡gy 进行生长机制研究。优化生长工艺，将是亟
待解决的问题。
同时材料问题也是制约LED发展的瓶 1 2实验制备
swall
颈，目前应用的半导体照明材料以Ga、In 我们采用大连路明集团的Thomas
为主，均为‘稀散
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