Si基外延Ge上NiGe薄膜热稳定性及电学特性研究.pdfVIP

*擎饶等：Si基外《Ge±NiCe薄膜热稳定性＆电学特性研究 得外延Ge的表面粗糙度为0．24am。采用腐蚀位错坑的办法，aI得的外延Ge的位错密度为】×106。对外 延Ge(400)峰位f体Ge(400)峰位的偏移程度上，得到外延Ge受到0125％11cJ张应变。 圈i外延Ge的TEM截碰目 3 NiGe薄膜的制备 nm的Nl薄膜。溅射时，一部分外延Oe片用带有 延0e表面进行清洗，然后在外延Ge上溅射厚度为20 直径850 Inn圆形图形的Ni薄膜，图形 lun圆孔的掩膜版遮盖，这样溅射后的外延Ge表面带有直释为850 样品用1：电学测试：没有图形掩膜版遮盖的样品用于NiGe薄膜热稳定性实验。然后对样品进行N：环境下 快速热姬火(RTP)60 针法进行测试，相变和表面形貌分别用多品XRD和SEMiI试。带有图形的样品背面溅射300ranAI作为 4结果与分析 41外延Ge上的NlGe薄膜的热稳定性 汪明了400℃遐火后样品生成的是NiGe相，并且在我们的实验温度范围内，没有观察到相变，这与文献 报道结粜一致”。在400℃到700℃这个温度范围内，NiGe薄膜的方块电阻值基本不变。用矗块电阻值 乘上NiGe薄膜柏厚度f^一45 ran)，得到NiGe薄膜屯阻牢约为19m 的热稳定性提高了100℃。 众所周知．NiGe薄膜在高温遐火后古块电阻升高是由薄膜的圳聚引起的。通过SEM对薄膜表面形貌 进行观察后，藐们发现，650℃i区火后的Ni／e-Ge样品表面具有比较严重的团聚现象，薄膜连续性变差。 表面形貌上观察，也能看出Ni／epi．．Ge样品的热稳定性比Ni／c-Ge样品的热稳定性提高了100℃。 由于薄膜团聚的主要原田是薄膜在高温下受到了较大的麻力，州此，我们分析Ni／epi43e结构热稳定性 汤梦饶等：Si基外延Ge上NiGe薄膜热稳定性及电学特性研究 提高的原因可能是由于NiGe薄膜与张应变的Ge衬底之间的晶格失配较小，所以NiGe薄膜所受的应力较 小，热稳定性得到了一定的提高。 t．亭|，暑二口一g≈童盘hq笔繁墨蠢钮 图2 Ni和外延Ge退火形成的NiGe薄膜的方块电阻与Ni和n-Ge退火形成NiGe薄膜方块电阻的比较 4．2 NiGe与外延Ge接触的电学特性 结构的反向电流比NiGe／n-Ge结构的反向电流大，造成这种现象的主要原因是外延Ge衬底的位错密度比 体Ge的大，导致复合电流大，反向时的漏电流较大。 一q毫芏《一奇坼o。Q-宴，-、暑u 图3Ni与外延Ge以及Ni与n-Ge400℃退火后的测试的厶y曲线 热电子发射理论给出的肖特基结构的厶y关系如下： ，叫exp静-I】 以=彳．T2 exp(争 式中，以为饱和电流密度，彳为接触面积，彳·为理查森常数，刀为理想因子，冠为串联电阻，咖为肖 ．168． 汤梦饶等：Si基外延Ge上NiGe薄膜热稳定性及电学特性研究 低串联电阻，减小功耗：更重要的是要进一步提高Si基外延Ge的质量，降低位错密度，进而可以减小漏 电流，提高器件整流比。 表1基于热发射理论提取的肖特基势垒、理想因子和串联电阻 5结论 的原因可能是张应变的Ge衬底与NiGe薄膜之间的晶格失配较小，使得NiGe薄膜受到较小的应力作用