氨气退火对ZnO纳米线阵列光致发光性质的影响.pdfVIP

第 27卷第 2期 徐 州 工 程 学 院 学 报 (自然 科 学 版 ) 2012年 6月 Vo1．27No．2 JournalofXuzhou InstituteofTechnology (NaturalSciencesEdition) Jun．2012 氨气退火对 ZnO纳米线阵列光致发光性质的影响 沈临江 ，王 雷，戚志鹏 (南京工业大学 理学院，南京 210009) 摘要 ：采用水热方法在 Si(100)衬底上制备 ZnO纳米线．利用提拉法在 si衬底上首先制备 ZnO晶种层，然后利用水热法在晶种层上生长 ZnO纳米线．在不同温度下的NH。气氛 中，对 ZnO 纳米线进行退火处理．系统地研究了NH。退火对ZnO纳米线光学性质的影响，在低温光致发光光 谱 中观察到 了与氮受主相关的光发射，并通过 自由电子一受主辐射复合光发射确定受主离化能为 129meV．实验结果还表 明，随着退火温度 的升高 ，施主一受主对辐射复合发光呈现 了微弱红移现 象．在 700℃退火的条件下制备的ZnO纳米线的低温 PL谱 中，观察到较为明显的 自由激子光发 射，并采用理论拟合进行证明． 关键词 ：ZnO纳米线；NH。；退火；光致发光 中图分类号：O472 ．3 文献标识码：A 文章编号：1674-358X(2O12)02—0005—05 ZnO是一种新型 Ⅱ一Ⅵ族宽禁带半导体材料，室温下其禁带宽度为 3．37eV，激子束缚能高达 60meV． ZnO优越的光学性质不但可以与 GaN相媲美 ，而且它还具有生长温度低 、热稳定性好 、抗辐射性强等特点， 这使得 ZnO在制备紫外光发射器件、紫外光探测器件、压电器件、薄膜晶体管、透 明导电薄膜等方面具有广 泛的应用前景口]．此外 ，ZnO易于掺杂 ，通过 Ga、A1、In等元素的掺杂可以很容易获得 n型导电ZnOl5。]，因 而 ZnO成为 了倍受关注的光学材料．已有的研究结果表明，利用 N、P、As、Li等元素掺杂可以制备得到 型 导电ZnOl8 ．然而P型 ZnO 的稳定性及其掺杂工艺对 ZnO光学及 电学性质影响仍然值得深入研究和总 结．退火是半导体技术中常用的一种热处理工艺 ，它可以用来消除缺陷，改善晶体结构 ，促进材料表面原子迁 移和材料内元素扩散 以进行掺杂和制备合金 ，激活施主和受主杂质．因此 ，在 P型 ZnO制备及性能改善等方 面具有值得深入研究的必要．本文采用 NH。对 ZnO纳米线阵列进行退火处理 ，系统地研究了退火温度对 ZnO光致发光性质的影响． 1 实验 在室温下，将二水合醋酸锌 (Zn(CH。COO) ·2H0)溶解于丙二醇一乙醇胺溶液中．其中Zn 的浓度 为0．2mol／L，乙醇胺与醋酸锌物质的量比为6：5．混合后的溶液在 6O℃条件下搅拌 30rain，得到澄清透明 的溶液甲，用于制备 ZnO薄膜．采用标准 RCA清洗工艺对 Si衬底进行清洗 ，得到干净 的Si衬底．将清洗后 的 si衬底浸入之前制备好 的溶液 甲中，并在室温下将其以38．5crn／min的速度匀速从溶液 中提拉 出来，然 后在 450℃空气 中干燥 30min，即可获得透明的ZnO薄膜 ，并将其作为生长 ZnO纳米线的晶种层． 配置 25mmol／I的 Zn(CH。COO)z·2H O去离子水溶液 、等浓度的六次 甲基 四胺 (HTM)的去离子水 溶液和浓度为 6mmol／L的乙烯亚胺溶液，并将这些溶液混合搅拌均匀 ，得到生长 ZnO纳米线用 的水热胶 体溶液 乙，将溶液乙倒入反应釜中．将制备好的带有晶种层 的Si衬底完全置于溶液 乙中，95℃下反应 2h， 然后将样品取出，用去离子水反复冲洗表面以去掉多余的离子和胺盐，在 450℃空气 中烘干 30rain，得到 ZnO纳米线阵列． 将 ZnO纳米线阵列分为 3组 ，置于石英管式炉中，通人氨气 ，并分别在 550、625、700℃下对样 品A、B、C 收稿 日期 ：2012-02—21 基金项 目：国家 自然科学基金项 目 作者简介 ：沈临江(1961一)，男，南京工业大学理学院院长，教授 ，博士 ，博士生导师 ，主要从事高温超导物理及有机导体合成研 究 王 雷(1982一)，男，吉林德惠人，博士研究生，主要从事宽带隙半导