离子束溅射制备立方CN化合物.pdfVIP

第 36卷 第 11期 金 扁 孝 垃 V0l_36 No．11 2000年 11月 ACTA METALLURGICA SINICA November2000 Z『o孕 离子束溅射制备立方 于栋利、1{ 田永君-_2) 何巨龙 ) 李东春 ) 李 林。) 、 rn l 学材料科学与化学工程学院 ， 秦皇岛066004 2)中国科学院物理研究所．北京100080 摘 要 用氯离子柬分别原位溅射Ti和石墨靶的方法御备了CN ／TiN 多层膜 用X射线光电子谱分析CN 层中C和 N 的健合状态，用透射电镜观察薄膜中的相形貌，用电子衍射和 X 射线衍射的方法分析相的结构 结果表明， CN 屡中主要 有N一印C和N—sp3c两种键合状态．薄膜中观察到的cN化合物尺寸为lo— 0nln的晶体瓢粒．其衍射数据可用立方 C3N4结柄标定、证实了该薄膜中存在立方C3N4化台物 关■调 C—N化台物，离子束摊射 耍方件嗣 中圈法分类号 TB43，TB321 A 文章编号 0d2—1961(2000)11-1201-04 7 CUBIC C—N C0M P0UND PREPARED BY 10N BEAM SPUTTERING 1 ||。 WANG Tian~hengl,2) YUDongli1) TIAN 礼 n HEJulon~)LIDongchun¨，LI五卉) ， ， 1)CollegeofMteria~3clence^I1dChemic．alEngineering，YanBhanUniverBity,Qinhuan~daoO68OO4 2)In~tltuteofPhyaic~，TheChineseAcademyofSciences，Beijing100080 Correspondent：TIAN Yongjun,professor,Tel：(oss5】805loj 8o51o{7．E-mail：fhcl@ysu．出 ．c托 SealtmcripIreceived1999-11·15，inrevisedform 2000-07-12 金 属 学 报 1 实验方法 确定图2中分解的各个峰所对应的化学状态 (见表 1)．可 在多靶离子束溅射仪上，用氮离子束分别原位溅射Tj 见，C1s谱可以分解成6个峰，分别标记为A，B，G，D， 和石墨靶的方法制备CN ／TiN 多层膜，即先用氨离子 和 A是由C中丌— 键产生的；B，E和 F可能 束溅射 Tj靶 20rain，然后换石墨靶再溅射 100rain． 是外来的污染造成的； C峰 (287．39eV)对应于 N-- 依此进行交替溅射，制出多层膜．溅射系统中离子束、 8p3C(C--N)的键台状态；D峰 (285．69eV)反映了 靶、基片的空间布置如图 1所示．用 10mm ×10mnl N—s c (N==c)键合状态．对于 Nh谱，若不考虑 污染造成的A和B峰，则仅获得两个化学状态：一个是 的单晶Si(111)和NaCl作基片．基片放入溅射系统之 前用丙酮和乙醇进行超声清洗．靶与基片间的距离约为 110mn1．系统的背底真空约为 5×10～ Pa．溅射前 用高纯氮气清洗真空室，以使真空室中氧含量降至更低 水平．用高纯氮