PZTZnO薄膜制备及其结构特性研究.pdfVIP

陈埋等：PZT／ZnO薄膜制备及其结构特性研究 PZT／ZnO薄膜制备及其结构特性研究‘ 陈 祝1，聂 海1’2，杨成韬2，杨邦朝2 (1．成都信息工程学院通信工程学院，四川成都610225； 2．电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都610054) 摘 要： 利用圉相反应制备的ZnO-Li：．z“陶瓷靶和报道。考虑到ZnO薄膜的结晶温度低，且容易生成c RF射频磁控溅射技术在Si(100)基片上制备了高度c轴(002)高度择优取向的薄膜，许多研究都表明，具有 轴择优取向的Zn0薄膜，XRD和电性能分析表明掺一定织构的过渡层能够促进其上沉积PZT薄膜结构 杂Li离子改善了ZnO靶材的结构和性能，同时研究和性能的提高。另外溅射靶的质量也极大程度地影响 了不同RF溅射温度对ZnO薄膜结构与取向的影响；所制备薄膜的结构与性能，为此，探索了ZnO掺杂 然后采用sol—gel前驱单体薄膜制备方法，以ZnO为过 渡层淀积PZT薄膜，探讨高度c轴(002)择优取向膜工艺，以制得结构致密、均匀和高度c轴择优取向的 ZnO薄膜对PZT薄膜结构与性能的影响，实验发现在ZnO薄膜，并以此膜为过渡层沉积PZT薄膜，初步探 PZT／Zn0异质结构中，致密、均匀和高度c轴择优取讨其对PZT薄膜结构与性能的影响。 向的ZnO可作为晶核，促进PZT钙钛矿结构转化、晶 目前制备ZnO薄膜的方法有很多种，但最常用、 粒(1i0)择优取向生长，相应降低PZT薄膜的退火温简便、经济的方法是射频磁控溅射法，其制备薄膜致密 度。 度高、附着性好，但存在薄膜表面易损伤(反溅射)和不 关键词： 氧化锌薄膜；射频磁控溅射；择优取向；PZT 可控制的局域膜生长(其薄膜结构和性质不同)[18~211。 薄膜 为了避免换靶和溅射腔清洁，PZT薄膜制备采用前驱 中图分类号： N304：0484 文献标识码：A 单体溶胶一凝胶法(sol—gel)，此方法具有工艺设备简单 文章编号：1001-9731i2009)12-2087-05易操作，组分可精确控制，薄膜均匀性好，成膜温度低 等优点，特别适合复杂组分薄膜的生长[22,233。 1 引 言 2 实 验 由铁电薄膜和微电子技术相结合而发展起来的集 成铁电学已成为当前国际新材料研究十分活跃的领 域，薄膜异质结构是集成铁电、压电器件的核心，是提 高集成器件性能及开发新器件的关键B～43。钙钛矿结 相反应工艺制备ZnO-Li。．。％陶瓷靶材，按比例混合原 构的锆钛酸铅(PbZr：Ti。一。O。，PZT)薄膜具有优越的 料，加去离子水、锫球磨、湿料烘干及研磨、750℃预烧， 铁电、介电、压电、热释电、电光、声光效应以及能够与 半导体技术兼容等特点；而ZnO是一种具有压电和光 电特性的半导体材料，其六角形纤锌矿结构适合于高 质量的定向外延薄膜的生长。目前对ZnO薄膜的研 究主要集中在透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压 l 敏性等方面[5~8]，其性质随掺杂组分和制备条件的不混合气体V(Ar)lV(02)一203～20：5(Ar纯度 同而表现出很大的差异性[9—1副，高密度c轴取向的 ZnO薄膜具有良好压电性。人们较早就展开了很多 沉积气压保持在0．2～o．SPa，采用不同的溅射温度Tl 在MgO、A120。等氧化物薄膜上沉积PZT薄膜的研(衬底基片温度t幽。)，溅射6h后薄膜在600℃退火 究，而PZT／ZnO结构的研究目前较多的是在陶瓷方 面，如日本IsogaiYuji在1996就开始了PZT／ZnO陶 瓷结构压电响应方面的研究[131，我国研究者金登仁也 膜，并以此膜为过渡层，通过sol-gel法在其上沉积 在2004年无机材料学报上发表了有关PZT／ZnO复 PZT薄膜。其PZT薄膜制备所用初始原料为醋酸铅 合陶瓷结构与电性能的研究报告[